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J-GLOBAL ID：200903062323200050

多孔質シリコン膜及びその製造方法並びに半導体発光素子

Inventor：
安達 定雄

About 安達 定雄


Applicant, Patent owner：
国立大学法人群馬大学

About 国立大学法人群馬大学


Agent (4)： 中島 淳 ,  加藤 和詳 ,  西元 勝一 ,  福田 浩志
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006131763
Publication number (International publication number)：2007305748
Application date： May. 10, 2006
Publication date： Nov. 22, 2007
Summary：
【課題】可視発光が可能で膜厚の均一な多孔質シリコン膜とこの多孔質シリコン膜を簡便かつ再現性よく製造する製造方法とを提供する。また、この多孔質シリコン膜を用いた高発光効率の半導体発光素子を提供する。【解決手段】酸化還元電位が+0.4eV〜+1.5eVの範囲にある酸化剤を含有するフッ化水素酸(HF)水溶液を処理溶液として使用して、短時間(約1〜15分)の光照射により光アシストエッチングを実施し、シリコン結晶の表面に均一な膜厚の多孔質シリコン膜を形成する。【選択図】なし
Claim (excerpt)：
酸化還元電位が+0.4eV〜+1.5eVの範囲にある酸化剤を含有するフッ化水素酸水溶液を処理溶液として用い、シリコン結晶を前記処理溶液に浸漬し、前記シリコン結晶の表面に光を照射して、エッチングによりシリコン結晶の表面に多孔質シリコン膜を形成することを特徴とする多孔質シリコン膜の製造方法。
IPC (3)：
H01L 21/306 ,  H01L 33/00 ,  C23F 1/24
FI (3)：
H01L21/306 L ,  H01L33/00 A ,  C23F1/24
F-Term (21)：
4K057WA10 ,  4K057WB06 ,  4K057WD01 ,  4K057WE01 ,  4K057WE02 ,  4K057WE03 ,  4K057WE05 ,  4K057WE07 ,  4K057WE08 ,  4K057WE09 ,  4K057WE23 ,  4K057WE25 ,  4K057WG03 ,  4K057WN01 ,  5F041CA33 ,  5F041CA74 ,  5F043AA02 ,  5F043BB02 ,  5F043DD14 ,  5F043FF10 ,  5F043GG10
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
  • 発光素子
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-144581   Applicant：三洋電機株式会社
  • 発光素子及びその製造方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-239141   Applicant：富士通株式会社
  • 半導体素子の製造方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願2004-090042   Applicant：三洋電機株式会社
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Article cited by the Patent：
Cited by examiner (2)

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