基材接合方法

Inventor： , , , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (5)：光石俊郎 , 光石春平 , 田中康幸 , 松元洋 , 山田哲三
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2016149295
Publication number (International publication number)：2018018996
Application date： Jul. 29, 2016
Publication date： Feb. 01, 2018
Summary：

【課題】非晶質酸化物材料等からなる基材は、表面へイオン粒子のビームを照射しても、活性がすぐに低下してしまい、十分な接合強度を得ることが困難となっていた。【解決手段】第一の基材11と第二の基材12とをスパッタエッチングにより接合する基材接合方法であって、第一の基材11が、半導体材料,化合物半導体材料,金属材料,のうちの少なくとも一種からなり、Ar等のガス1のイオン粒子のビーム2を第一の基材11の表面に照射して、第一の基材11の表面をスパッタエッチングすることにより、第一の基材11のスパッタ粒子Msを第二の基材12の表面に被着させる活性化工程と、第一の基材11のスパッタ粒子Msを被着された第二の基材12の表面と、スパッタエッチングされた第一の基材11の表面とを重ね合わせて接合する接合工程とを行う。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

第一の基材と第二の基材とをスパッタエッチングにより接合する基材接合方法であって、前記第一の基材が、半導体材料,化合物半導体材料,金属材料,のうちの少なくとも一種からなり、前記第一の基材の表面にイオン粒子のビームを照射して、当該第一の基材の表面をスパッタエッチングすることにより、当該第一の基材のスパッタ粒子を前記第二の基材の表面に被着させる活性化工程と、前記第一の基材の前記スパッタ粒子を被着された前記第二の基材の表面と、スパッタエッチングされた当該第一の基材の表面とを重ね合わせて接合する接合工程とを行うことを特徴とする基材接合方法。

IPC (5)：

H01L 21/02 , B23K 20/00 , B23K 20/24 , H01L 21/302 , H01L 21/306

FI (5)：

H01L21/02 B , B23K20/00 310A , B23K20/24 , H01L21/302 201B , H01L21/302 102

F-Term (23)：

4E167AA06 , 4E167AA08 , 4E167AA09 , 4E167AA17 , 4E167AA18 , 4E167AA29 , 4E167BA02 , 4E167CA01 , 4E167CA05 , 4E167CB01 , 4E167CB03 , 5F004AA14 , 5F004BA11 , 5F004BB18 , 5F004DA23 , 5F004DB01 , 5F004DB03 , 5F004DB07 , 5F004DB19 , 5F004DB20 , 5F004EA38 , 5F004EB08 , 5F004FA08

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

接合装置、接合方法、半導体デバイスおよびMEMSデバイス
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2012-210099 Applicant：ボンドテック株式会社, 須賀唯知
常温接合デバイス、常温接合デバイスを有するウェハおよび常温接合方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2012-258771 Applicant：三菱重工業株式会社
常温接合装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2006-085405 Applicant：三菱重工業株式会社

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