常温接合デバイス、常温接合デバイスを有するウェハおよび常温接合方法

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (2)：工藤実 , 中尾圭策
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2012258771
Publication number (International publication number)：2014107393
Application date： Nov. 27, 2012
Publication date： Jun. 09, 2014
Summary：

【課題】機能性デバイスの構成要素となる多種多様な材料組合せを接合可能とする。【解決手段】常温接合デバイスは、第1面51aを有する第1基板51と、第1面51aと接合する第2面52aを有する第2基板52とを具備している。第1面51aと第2面52aとの接合において、第1面51aおよび第2面52aのうちのいずれか一方は、シリコンやSiO2やGaNのような第n片方材料を含み、他方は、シリコンやSiO2や石英やAuのような第n他方材料を含み、その組み合わせは少なくとも115通りある。【選択図】図3A

Claim (excerpt)：

第1面を有する第1基板と、前記第1面と接合する第2面を有する第2基板とを具備し、前記第1面と前記第2面との接合において、前記第1面および前記第2面のうちのいずれか一方は、第n片方材料を含み、他方は、第n他方材料を含み、前記nは1乃至28のいずれかの整数であり、前記n=1として、第1片方材料はSiを含み、第1他方材料はSi、SiO2、ガラス、石英、Au、LiTaO3、サファイア、GaN、GaAs、LiNbO3、SiN、InP、Cu、SiC、Ag、Al、AlN、Ge、La、MgO、Pt、Ru、W、C、Ni、MoおよびYAGのグループのうちから選択される材料を含み、前記n=2として、第2片方材料はSiO2を含み、第2他方材料はSiO2、LiNbO3、サファイア、SiN、ガラス、石英、LiTaO3、Al、C、InGaAs、InP、SiC、YAG、GaN、AgおよびMgOのグループのうちから選択される材料を含み、前記n=3として、第3片方材料はGaNを含み、第3他方材料はAlN、GaN、Ga2O3、Mo、SiC、サファイア、スピネル、W、SiNおよびYAGのグループのうちから選択される材料を含み、前記n=4として、第4片方材料はLiTaO3を含み、第4他方材料はサファイア、LiTaO3、SiN、ガラス、石英、LiNbO3、Cu、ZnO、Cおよびスピネルのグループのうちから選択される材料を含み、前記n=5として、第5片方材料はLiNbO3を含み、第5他方材料はLiNbO3、Au、Ti、ガラスおよび石英のグループのうちから選択される材料を含み、前記n=6として、第6片方材料はCuを含み、第6他方材料はCu、Al、AlN、SiN、Ti、Au、AlCu、CrおよびTaのグループのうちから選択される材料を含み、前記n=7として、第7片方材料はガラスまたは石英を含み、第7他方材料はガラス、石英、GaAs、RIG、SiNおよびMgOのグループのうちから選択される材料を含み、前記n=8として、第8片方材料はサファイアを含み、第8他方材料はサファイア、YAG、ZnO、RIGおよびITOのグループのうちから選択される材料を含み、前記n=9として、第9片方材料はYAGを含み、第9他方材料はYAG、Al、ITOおよびZnOのグループのうちから選択される材料を含み、前記n=10として、第10片方材料はAlを含み、第10他方材料はAl、AlNおよびGeのグループのうちから選択される材料を含み、前記n=11として、第11片方材料はAlNを含み、第11他方材料はAlN、SiCおよびWのグループのうちから選択される材料を含み、前記n=12として、第12片方材料はAuを含み、第12他方材料はAu、AuSn、InPおよびAlサファイアのグループのうちから選択される材料を含み、前記n=13として、第13片方材料はAgを含み、第13他方材料はAgを含み、前記n=14として、第14片方材料はAlCuを含み、第14他方材料はAlCuを含み、前記n=15として、第15片方材料はCを含み、第15他方材料はCを含み、前記n=16として、第16片方材料はCrを含み、第16他方材料はCrを含み、前記n=17として、第17片方材料はGaAsを含み、第17他方材料はGaAsまたはInPを含み、前記n=18として、第18片方材料はGaPを含み、第18他方材料はGaPを含み、前記n=19として、第19片方材料はGeを含み、第19他方材料はGeを含み、前記n=20として、第20片方材料はInGaPを含み、第20他方材料はInGaPを含み、前記n=21として、前記第21片方材料はMoを含み、第21他方材料はMoまたはWを含み、前記n=22として、第22片方材料はSiCを含み、第22他方材料はSiCを含み、前記n=23として、第23片方材料はSiNを含み、第23他方材料はSiNを含み、前記n=24として、第24片方材料はSiOCを含み、第24他方材料はSiOCを含み、前記n=25として、第25片方材料はSiONを含み、第25他方材料はSiONを含み、前記n=26として、第26片方材料はTaを含み、第26他方材料はTaを含み、前記n=27として、第27片方材料はTiを含み、第27他方材料はTiを含み、前記n=28として、第28片方材料はTiO2を含み、第28他方材料はTiO2を含む常温接合デバイス。

IPC (2)：

H01L 21/02 , B23K 20/00

FI (3)：

H01L21/02 B , B23K20/00 310L , B23K20/00 310P

F-Term (20)：

4E167AA01 , 4E167AA06 , 4E167AA08 , 4E167AA09 , 4E167AA10 , 4E167AA12 , 4E167AA13 , 4E167AA17 , 4E167AA18 , 4E167AA19 , 4E167AA20 , 4E167AA21 , 4E167AA26 , 4E167AA29 , 4E167BA02 , 4E167BA10 , 4E167CA05 , 4E167CB01 , 4E167DA05 , 4E167DB13

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

3次元積層デバイスとその製造方法、及び3次元積層デバイスの接合方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2007-131983 Applicant：ソニー株式会社
半導体装置の作製方法、半導体装置及び電子機器
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2008-273215 Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
貼り合わせ基板の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2009-095765 Applicant：信越化学工業株式会社

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