気相成長装置

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (3)：藤谷修 , 一色昭則 , 角谷智広
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2017005770
Publication number (International publication number)：2018117005
Application date： Jan. 17, 2017
Publication date： Jul. 26, 2018
Summary：

【課題】半導体層の状態を高い精度でその場観察することのできる気相成長装置を提供することである。【解決手段】気相成長装置1000は、サセプター210と、反応室100と、原料ガス導入口310と、ガス排出口320と、サセプター210に向けて電磁波を照射する発光部510と、電磁波を受信する受光部520と、を有する。原料ガス導入口310とガス排出口320とを結ぶ線と、基板S1の板面と、がなす角の角度が-20°以上20°以下である。反応室100は、サセプター210と対面する反応室天板101を有する。反応室天板101は、貫通孔101aを有する。発光部510は、電磁波を貫通孔101aを通過させてサセプター210に向けて照射する。受光部520は、貫通孔101aを通過した電磁波を受信する。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

基板を支持する基板支持部と、前記基板支持部を収容する反応室と、前記反応室に原料ガスを供給する原料ガス導入口と、前記反応室からガスを排出するガス排出口と、前記基板支持部に向けて電磁波を照射する電磁波照射部と、電磁波を受信する電磁波受信部と、を有し、前記原料ガス導入口と前記ガス排出口とを結ぶ線と、前記基板の板面と、がなす角の角度が-20°以上20°以下であり、前記反応室は、前記基板支持部と対面する天板を有し、前記天板は、 1以上の貫通孔を有し、前記電磁波照射部は、電磁波を前記1以上の貫通孔のうちの1つに通過させて前記基板支持部に向けて照射し、前記電磁波受信部は、前記1以上の貫通孔のうちの1つに通過させた電磁波を受信することを特徴とする気相成長装置。

IPC (3)：

H01L 21/205 , H01L 21/66 , C23C 16/52

FI (5)：

H01L21/205 , H01L21/66 L , H01L21/66 K , H01L21/66 P , C23C16/52

F-Term (48)：

4K030AA11 , 4K030AA17 , 4K030AA18 , 4K030BA02 , 4K030BA08 , 4K030BA11 , 4K030BA38 , 4K030EA06 , 4K030EA11 , 4K030GA06 , 4K030HA14 , 4K030KA39 , 4K030LA14 , 4M106AA01 , 4M106AA10 , 4M106BA04 , 4M106BA05 , 4M106BA20 , 4M106CA47 , 4M106CA48 , 5F045AA01 , 5F045AA03 , 5F045AA04 , 5F045AB01 , 5F045AB09 , 5F045AB10 , 5F045AB14 , 5F045AC08 , 5F045AC12 , 5F045AC15 , 5F045AF02 , 5F045AF03 , 5F045AF04 , 5F045AF06 , 5F045AF09 , 5F045BB11 , 5F045BB12 , 5F045DP04 , 5F045DP28 , 5F045EB15 , 5F045EC03 , 5F045EE14 , 5F045EF09 , 5F045EK06 , 5F045EM09 , 5F045GB04 , 5F045GB09 , 5F045GB10

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

特開平3-220717
成膜方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2008-168597 Applicant：住友電気工業株式会社
成膜装置及び温度測定方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2015-065729 Applicant：株式会社ニューフレアテクノロジー

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