Pat
J-GLOBAL ID:200903039549480470
エピタキシャル成膜装置およびエピタキシャル成膜方法
Inventor:
,
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
服部 毅巖
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2005122107
Publication number (International publication number):2006303152
Application date: Apr. 20, 2005
Publication date: Nov. 02, 2006
Summary:
【課題】様々なプロセス条件で膜質、膜厚、不純物濃度等の均一性が良好なSiCエピタキシャル膜を形成するエピタキシャル成膜装置を提供する。【解決手段】材料ガス30を、反応炉2内のサセプタ5とグラファイト板9の間の領域に、サセプタ5上に載置されたSiCウェハ20の平面方向で反応炉2の内壁に沿う方向に層流で周回するように供給口7から供給する。SiCウェハ20の温度は、パイロメータ11の検出温度に基づき、反応炉2の外部に設けた高周波コイル6とハロゲンランプ10によって制御する。材料ガス30がSiCウェハ20の表面領域を周回することにより、エピタキシャル成膜装置1にウェハ回転機構を設けることなく、SiCウェハ20に様々なプロセス条件で膜質、膜厚、不純物濃度等の均一性の良いSiCエピタキシャル膜を形成することが可能になる。【選択図】図1
Claim (excerpt):
エピタキシャル膜の形成を行うエピタキシャル成膜装置において、
円筒状の内壁を有する反応炉と、
前記反応炉内に設けられて前記エピタキシャル膜の形成される面の平面方向が前記内壁と略直交する方向になるようにウェハが載置されるサセプタと、
前記サセプタ上に載置された前記ウェハを加熱する第1の加熱手段と、
前記ウェハの前記エピタキシャル膜の形成される面に略平行な方向であって前記反応炉の内壁に沿う方向に周回するように材料ガスを前記反応炉内に供給する供給口と、
前記反応炉内の前記材料ガスを排気する排気口と、
を有することを特徴とするエピタキシャル成膜装置。
IPC (1):
FI (1):
F-Term (17):
5F045AA03
, 5F045AB06
, 5F045AC01
, 5F045AC07
, 5F045AC08
, 5F045AC15
, 5F045AD18
, 5F045AE23
, 5F045AF03
, 5F045BB01
, 5F045BB04
, 5F045BB12
, 5F045DP04
, 5F045DP15
, 5F045DP27
, 5F045DQ05
, 5F045GB05
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (2)
-
バレル型気相成長装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平6-024703
Applicant:信越半導体株式会社
-
CVD装置および薄膜製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2001-048887
Applicant:株式会社シクスオン, 関西電力株式会社, 住友電気工業株式会社, 三菱商事株式会社
Cited by examiner (4)
-
気相成長装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平8-107236
Applicant:シャープ株式会社
-
化合物半導体気相成長装置および方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平9-200329
Applicant:シャープ株式会社
-
気相エピタキシャル成長装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平7-127122
Applicant:信越半導体株式会社
-
半導体熱処理方法および装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2003-003631
Applicant:三井造船株式会社
Show all
Return to Previous Page