ダイヤモンド製膜用下地基板及びそれを用いたダイヤモンド基板の製造方法

Inventor： , , , , , ,
Applicant, Patent owner： , ,
Agent (1)：大谷嘉一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2017019159
Publication number (International publication number)：2018127367
Application date： Feb. 06, 2017
Publication date： Aug. 16, 2018
Summary：

【課題】転位欠陥等を含めて各種欠陥の低減に有効なダイヤモンド基板の製造方法及びそれに用いる下地基板の提供。【解決手段】化学気相成長法にてダイヤモンド膜を製膜するための下地基板であって、下地基板の表面は、結晶面方位{100}に対して結晶軸方向<110>にオフ角が付けられている、または結晶面方位{111}に対して結晶軸<-1-12>にオフ角が付けられており、ダイヤモンド,イリジウム,ロジウム,パラジウム及び白金のうち、いずれかである下地基板。前記オフ角が2〜15°である、下地基板。前記下地基板の表面がダイヤモンド、イリジウム、ロジウム、パラジウム又は白金であるダイヤモンド製膜用下地基板。【選択図】図3

Claim (excerpt)：

化学気相成長法にてダイヤモンド膜を製膜するための下地基板であって、前記下地基板の表面は所定の結晶面方位に対してオフ角が付けられていることを特徴とするダイヤモンド製膜用下地基板。

IPC (6)：

C30B 29/04 , C30B 25/18 , C30B 25/02 , C23C 14/06 , C23C 16/27 , H01L 21/205

FI (6)：

C30B29/04 C , C30B25/18 , C30B25/02 P , C23C14/06 N , C23C16/27 , H01L21/205

F-Term (49)：

4G077AA02 , 4G077AA03 , 4G077BA03 , 4G077DB17 , 4G077ED05 , 4G077ED06 , 4G077EF02 , 4G077EF03 , 4G077HA12 , 4G077TA04 , 4G077TK01 , 4G077TK06 , 4G077TK08 , 4K029AA06 , 4K029AA24 , 4K029BA02 , 4K029BA13 , 4K029BA43 , 4K029BB02 , 4K029BB09 , 4K029CA01 , 4K029CA05 , 4K029DA08 , 4K029DB21 , 4K029DC39 , 4K029GA02 , 4K030AA09 , 4K030AA17 , 4K030BA28 , 4K030CA04 , 4K030CA05 , 4K030CA12 , 4K030CA17 , 4K030DA04 , 4K030FA01 , 4K030HA04 , 4K030LA15 , 5F045AA08 , 5F045AA18 , 5F045AB07 , 5F045AB31 , 5F045AC07 , 5F045AD13 , 5F045AE25 , 5F045AF03 , 5F045AF13 , 5F045BB12 , 5F045DA53 , 5F045EH09

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

ダイヤモンド半導体の製造方法及びダイヤモンド半導体
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2005-121854 Applicant：住友電気工業株式会社
単結晶ダイヤモンド基板
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2009-100870 Applicant：独立行政法人産業技術総合研究所
単結晶ダイヤモンド膜の形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-315975 Applicant：株式会社神戸製鋼所

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