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J-GLOBAL ID:201803012861150287

ダイヤモンド製膜用下地基板及びそれを用いたダイヤモンド基板の製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 大谷 嘉一
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2017019159
Publication number (International publication number):2018127367
Application date: Feb. 06, 2017
Publication date: Aug. 16, 2018
Summary:
【課題】転位欠陥等を含めて各種欠陥の低減に有効なダイヤモンド基板の製造方法及びそれに用いる下地基板の提供。【解決手段】化学気相成長法にてダイヤモンド膜を製膜するための下地基板であって、下地基板の表面は、結晶面方位{100}に対して結晶軸方向<110>にオフ角が付けられている、または結晶面方位{111}に対して結晶軸<-1-12>にオフ角が付けられており、ダイヤモンド,イリジウム,ロジウム,パラジウム及び白金のうち、いずれかである下地基板。前記オフ角が2〜15°である、下地基板。前記下地基板の表面がダイヤモンド、イリジウム、ロジウム、パラジウム又は白金であるダイヤモンド製膜用下地基板。【選択図】図3
Claim (excerpt):
化学気相成長法にてダイヤモンド膜を製膜するための下地基板であって、 前記下地基板の表面は所定の結晶面方位に対してオフ角が付けられていることを特徴とするダイヤモンド製膜用下地基板。
IPC (6):
C30B 29/04 ,  C30B 25/18 ,  C30B 25/02 ,  C23C 14/06 ,  C23C 16/27 ,  H01L 21/205
FI (6):
C30B29/04 C ,  C30B25/18 ,  C30B25/02 P ,  C23C14/06 N ,  C23C16/27 ,  H01L21/205
F-Term (49):
4G077AA02 ,  4G077AA03 ,  4G077BA03 ,  4G077DB17 ,  4G077ED05 ,  4G077ED06 ,  4G077EF02 ,  4G077EF03 ,  4G077HA12 ,  4G077TA04 ,  4G077TK01 ,  4G077TK06 ,  4G077TK08 ,  4K029AA06 ,  4K029AA24 ,  4K029BA02 ,  4K029BA13 ,  4K029BA43 ,  4K029BB02 ,  4K029BB09 ,  4K029CA01 ,  4K029CA05 ,  4K029DA08 ,  4K029DB21 ,  4K029DC39 ,  4K029GA02 ,  4K030AA09 ,  4K030AA17 ,  4K030BA28 ,  4K030CA04 ,  4K030CA05 ,  4K030CA12 ,  4K030CA17 ,  4K030DA04 ,  4K030FA01 ,  4K030HA04 ,  4K030LA15 ,  5F045AA08 ,  5F045AA18 ,  5F045AB07 ,  5F045AB31 ,  5F045AC07 ,  5F045AD13 ,  5F045AE25 ,  5F045AF03 ,  5F045AF13 ,  5F045BB12 ,  5F045DA53 ,  5F045EH09
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (3) Cited by examiner (3)

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