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J-GLOBAL ID：201803015758801546

単結晶磁気抵抗素子、その製造方法及びこれを用いたデバイス

Inventor： 陳 嘉民 ,  桜庭 裕弥 ,  宝野 和博
Applicant, Patent owner： 国立研究開発法人物質・材料研究機構
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2017041147
Publication number (International publication number)：2018148006
Application date： Mar. 03, 2017
Publication date： Sep. 20, 2018
Summary：

【課題】ホイスラー合金を用いた単結晶巨大磁気抵抗素子を実デバイスへ応用するための量産性と低価格化を実現するのに必要とされる基幹的な単結晶磁気抵抗素子を提供すること。【解決手段】本発明の単結晶磁気抵抗素子は、シリコン基板11と、このシリコン基板11に積層されたB2構造の下地層12と、当該B2構造の下地層12に積層された拡散防止層12Aと、この拡散防止層12Aに積層された第1の非磁性層13と、下部強磁性層14及び上部強磁性層16、並びに当該下部強磁性層14と当該上部強磁性層16の間に設けられた第2の非磁性層15を有する積層体層を少なくとも一つ有する巨大磁気抵抗効果層17と、を備える【選択図】図1

Claim (excerpt)：

シリコン基板と、 このシリコン基板に積層されたB2構造の下地層と、 当該B2構造の下地層に積層された拡散防止層と、 この拡散防止層に積層された第1の非磁性層と、 下部強磁性層及び上部強磁性層、並びに当該下部強磁性層と当該上部強磁性層の間に設けられた第2の非磁性層を有する積層体層を少なくとも一つ有する巨大磁気抵抗効果層と、 を備えることを特徴とする磁気抵抗素子。

IPC (5)：

H01L 43/10 ,  H01L 43/08 ,  H01F 10/16 ,  H01F 10/32 ,  G11B 5/39

FI (6)：

H01L43/10 ,  H01L43/08 Z ,  H01L43/08 M ,  H01F10/16 ,  H01F10/32 ,  G11B5/39

F-Term (22)：

5D034BA03 ,  5D034BA05 ,  5D034BA06 ,  5D034BA21 ,  5D034DA07 ,  5E049AA04 ,  5E049AC05 ,  5E049BA30 ,  5E049CB01 ,  5E049DB12 ,  5F092BB04 ,  5F092BB09 ,  5F092BB10 ,  5F092BB22 ,  5F092BB24 ,  5F092BB31 ,  5F092BB42 ,  5F092BB44 ,  5F092BE11 ,  5F092BE21 ,  5F092BE27 ,  5F092CA25

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

• 磁気抵抗効果素子および磁気記憶装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2009-060020   Applicant：富士通株式会社
• 特許第6503405号
  
• 磁気記録媒体及び磁気記憶装置
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願2004-571860   Applicant：富士通株式会社
• 半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2008-240883   Applicant：株式会社東芝
• ホイスラー合金薄膜およびその製造方法、磁気抵抗効果素子、磁気メモリ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2015-008689   Applicant：国立研究開発法人物質・材料研究機構
• 磁気記録媒体及び磁気記憶装置
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願2004-566270   Applicant：富士通株式会社