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J-GLOBAL ID：201803018645668237

デバイス作製用基板、その製造方法及び近赤外線発光デバイス

Inventor： 間野 高明 ,  三石 和貴 ,  野田 武司 ,  大竹 晃浩 ,  ハ ヌル
Applicant, Patent owner： 国立研究開発法人物質・材料研究機構
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2014037437
Publication number (International publication number)：2015162605
Patent number：6241939
Application date： Feb. 27, 2014
Publication date： Sep. 07, 2015
Claim (excerpt)：

【請求項1】 GaAs基板又はGaAs基板に形成したGaAsバッファ層の(111)A面に格子緩和層と被格子緩和層をこの順序で積層したデバイス作製用基板であって、 前記格子緩和層が膜厚0.7nm以上1.8nm以下のInAs薄膜であり、 前記被格子緩和層がInM(III)As薄膜であり、 前記M(III)がGa又はAlであることを特徴とするデバイス作製用基板。

IPC (3)：

H01L 21/203 ( 200 6.01) ,  H01L 21/205 ( 200 6.01) ,  H01L 21/20 ( 200 6.01)

FI (3)：

H01L 21/203 M ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/20

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

• 化合物半導体結晶装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-137788   Applicant：富士通株式会社
• 特開平2-074600
  
• 特開平4-045519
  
• II-VI族化合物半導体およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-254622   Applicant：日本電気株式会社
• 化合物半導体素子およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2006-289364   Applicant：シャープ株式会社
• 半導体発光素子、その製造方法およびその半導体発光素子を用いた半導体レーザジャイロ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2005-097515   Applicant：株式会社国際電気通信基礎技術研究所
• 化合物半導体膜の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-178169   Applicant：日本電信電話株式会社

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• Lattice Relaxation Of InAs Heteroepitaxy on GaAs