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J-GLOBAL ID：201803018645668237
デバイス作製用基板、その製造方法及び近赤外線発光デバイス
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2014037437
Publication number (International publication number)：2015162605
Patent number：6241939
Application date： Feb. 27, 2014
Publication date： Sep. 07, 2015
Claim (excerpt)：
【請求項1】 GaAs基板又はGaAs基板に形成したGaAsバッファ層の(111)A面に格子緩和層と被格子緩和層をこの順序で積層したデバイス作製用基板であって、
前記格子緩和層が膜厚0.7nm以上1.8nm以下のInAs薄膜であり、
前記被格子緩和層がInM(III)As薄膜であり、
前記M(III)がGa又はAlであることを特徴とするデバイス作製用基板。
IPC (3)：
H01L 21/203 ( 200 6.01)
, H01L 21/205 ( 200 6.01)
, H01L 21/20 ( 200 6.01)
H01L 21/203 M
, H01L 21/205
, H01L 21/20
Cited by applicant (7)
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化合物半導体結晶装置の製造方法
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平6-137788
Applicant：富士通株式会社
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特開平2-074600
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特開平4-045519
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Cited by examiner (7)
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化合物半導体結晶装置の製造方法
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平6-137788
Applicant：富士通株式会社
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特開平2-074600
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特開平4-045519
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Article cited by the Patent：
Cited by applicant (1)
Cited by examiner (1)
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