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J-GLOBAL ID：201803018786369829
光電変換装置及び光電変換装置の製造方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (2)：
長谷川 芳樹
, 諏澤 勇司
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2013042858
Publication number (International publication number)：2014067988
Patent number：6256902
Application date： Mar. 05, 2013
Publication date： Apr. 17, 2014
Claim (excerpt)：
【請求項1】 酸化チタンを含むベース層の面上に、複数の領域に分離して配置させて、平面視における平均径が10nm以上30nm以下の金属体を生成する第1ステップと、
前記金属体が生成された前記面上に前記金属体を覆うようにホール移動層を形成する第2ステップと、
を備え、
前記第2ステップにおいて、前記ホール移動層を、酸素雰囲気下でスパッタリングすることにより成膜し、
前記第2ステップにおいて、前記ホール移動層を成膜した後にアニールを行う処理を複数回繰り返し、
前記ベース層と前記ホール移動層との間の界面に沿って前記金属体が配置された光電変換装置を生成する、
ことを特徴とする光電変換装置の製造方法。
IPC (1)：
FI (1)：
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (6)
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光電変換素子
Gazette classification：公開公報
Application number：特願2009-031055
Applicant：コニカミノルタビジネステクノロジーズ株式会社
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光電変換素子及びそれを用いた太陽電池
Gazette classification：公開公報
Application number：特願2000-010451
Applicant：シャープ株式会社
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太陽電池及びその製造方法
Gazette classification：公開公報
Application number：特願2008-038004
Applicant：昭和電工株式会社
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色素増感太陽電池およびその製造方法
Gazette classification：公開公報
Application number：特願2004-160701
Applicant：凸版印刷株式会社
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透明導電体の製造方法、透明導電体、デバイス及び電子機器
Gazette classification：公開公報
Application number：特願2009-205913
Applicant：財団法人神奈川科学技術アカデミー, 国立大学法人東京大学
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半導体ナノクリスタルを含む光起電力デバイス
Gazette classification：公表公報
Application number：特願2010-514708
Applicant：マサチューセッツインスティテュートオブテクノロジー
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