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J-GLOBAL ID：201803019583333264

ノズル式のプラズマエッチング装置

Inventor： 清水 禎樹 ,  中野 禅 ,  小木曽 久人 ,  原 史朗 ,  田中 宏幸 ,  二川 真士 ,  吉岡 秀明 ,  福田 孝弘 ,  内山 嘉典 ,  クンプアン ソマワン
Applicant, Patent owner： 国立研究開発法人産業技術総合研究所
Agent (1)： 特許業務法人 武和国際特許事務所
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2014035544
Publication number (International publication number)：2014212302
Patent number：6292470
Application date： Feb. 26, 2014
Publication date： Nov. 13, 2014
Claim (excerpt)：

【請求項1】 ウェハが設置されるステージと、 このステージを覆うチャンバと、 このチャンバ内を真空引きする真空引き部と、 前記チャンバの前記ステージに対向する位置に設けられた管状のガス供給部と、 このガス供給部の先端側の内部に取り付けられ、このガス供給部から供給されるエッチングガスを前記ウェハへ略均等に吹き付けさせるノズルと、 前記ガス供給部に取り付けられ、このガス供給部内のエッチングガス中にマイクロプラズマを発生させるとともにラジカルを生成させるノズルプラズマ発生部と、 前記ステージに設けられ、このステージに設置されるウェハを含む領域にプラズマを発生させてエッチングガスをイオン化およびラジカル化させるステージプラズマ発生部と、 を具備したことを特徴とするプラズマエッチング装置。

IPC (2)：

H01L 21/3065 ( 200 6.01) ,  H05H 1/46 ( 200 6.01)

FI (2)：

H01L 21/302 101 E ,  H05H 1/46 M

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

• 吸引型プラズマエッチング装置およびプラズマエッチング方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2009-215159   Applicant：株式会社三友製作所
• 半導体ウエハの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-050253   Applicant：スピードファム株式会社
• 表面処理方法及び装置、圧電素子の製造方法、インクジェット用プリントヘッドの製造方法、液晶パネルの製造方法、並びにマイクロサンプリング方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-317025   Applicant：セイコーエプソン株式会社
• プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2008-080147   Applicant：東京エレクトロン株式会社
• プラズマ処理装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2009-037091   Applicant：三菱電機株式会社
• マイクロプラズマ生成装置および方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2004-088070   Applicant：独立行政法人科学技術振興機構