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J-GLOBAL ID：200903068065445459

プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法

Inventor：
平山 祐介

About 平山 祐介


Applicant, Patent owner：
東京エレクトロン株式会社

About 東京エレクトロン株式会社


Agent (1)： 田中 正男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2008080147
Publication number (International publication number)：2009238837
Application date： Mar. 26, 2008
Publication date： Oct. 15, 2009
Summary：
【課題】被処理基板のエッチング処理に用いられるプラズマ処理装置において、被処理基板の所望の部分のみを選択的にエッチングして、残余の部分にエッチングの影響を及ぼすことのないプラズマ処理装置を提供する。【解決手段】気密に構成された処理室内の被処理基板を載置する載置台2と対向して配置され、前記被処理基板に部分的にプラズマを作用させるための局所プラズマ発生器23と、該局所プラズマ発生器を移動させる移動手段とを含むプラズマ処理装置において、前記局所プラズマ発生器は、その内部から流出するプラズマ化ガスの反応を相殺するガスを噴出する相殺ガス噴出機構を備える。【選択図】図2
Claim (excerpt)：
気密に構成された処理室内の被処理基板を載置する載置台と対向して配置され、前記被処理基板に部分的にプラズマを作用させるための局所プラズマ発生器と、該局所プラズマ発生器を移動させる移動手段とを含むプラズマ処理装置において、 前記局所プラズマ発生器は、その内部から流出するプラズマ化ガスの反応を相殺するガスを噴出する相殺ガス噴出機構を備えたことを特徴とするプラズマ処理装置。
IPC (2)：
H01L 21/306 ,  H05H 1/46
FI (3)：
H01L21/302 101E ,  H05H1/46 L ,  H05H1/46 M
F-Term (11)：
5F004AA02 ,  5F004BA06 ,  5F004BA09 ,  5F004BA20 ,  5F004BB11 ,  5F004BB13 ,  5F004BB22 ,  5F004BB28 ,  5F004BB29 ,  5F004CA02 ,  5F004CA05
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (1)
  • 特許第3184682号公報
Cited by examiner (8)
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