マイクロプラズマ生成装置および方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (2)：平山一幸 , 海津保三
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004088070
Publication number (International publication number)：2005276618
Application date： Mar. 24, 2004
Publication date： Oct. 06, 2005
Summary：

【課題】微小領域でプラズマを生成し必要な箇所にプラズマを照射できるマイクロプラズマ生成装置および方法を提供する。【解決手段】移動用ステージ3に保持させて、真空チャンバー4内にプラズマ生成部2を配置する。プラズマ生成部2は、外側円筒電極内に絶縁管を介して内側円筒電極を同軸上に配設して形成する。ガスチューブ5を介して内側円筒電極から外側円筒電極内に導入したガスを、電源6でパルス放電させてプラズマを生成する。この生成したプラズマをガス流とともに真空チャンバー4内に噴出させて、マイクロプラズマ10を得る。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

真空チャンバー内にプラズマ生成部を具備し、上記プラズマ生成部は、内側円筒電極と、該内側円筒電極と同軸になるように配設した外側円筒電極と、該外側円筒電極と上記内側円筒電極との間に配設した絶縁管とを備え、上記内側円筒電極の一端が、上記外側円筒電極内に位置しており、上記内側円筒電極を通して上記外側円筒電極内に導入したガスを放電させてプラズマをを生成し、この生成したプラズマを上記真空チャンバー内に噴出させてマイクロプラズマを得ることを特徴とする、マイクロプラズマ生成装置。

IPC (2)：

H05H1/24 , H01L21/3065

FI (2)：

H05H1/24 , H01L21/302 101E

F-Term (5)：

5F004AA02 , 5F004AA06 , 5F004BA20 , 5F004BB11 , 5F004DA21

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

プラズマエッチング方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-020948 Applicant：松下電子工業株式会社
高選択比かつ大面積高均一プラズマ処理方法及び装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-086352 Applicant：株式会社アルバック, アルバック成膜株式会社

Cited by examiner (5)

ダイヤモンドのプラズマエッチング加工方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-060649 Applicant：並木精密宝石株式会社
プラズマ処理装置及び方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-033393 Applicant：松下電器産業株式会社
表面処理方法及び光学部品
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-164544 Applicant：コニカミノルタホールディングス株式会社

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Article cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

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