吸引型プラズマエッチング装置およびプラズマエッチング方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (2)：田中宏 , 樋口榮四郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2009215159
Publication number (International publication number)：2010153783
Application date： Sep. 17, 2009
Publication date： Jul. 08, 2010
Summary：

【課題】吸引型のプラズマガン搭載型プラズマエッチング装置及びプラズマエッチング方法を提供する。【解決手段】キャピラリー3とプラズマ発生用電極4を具備したプラズマガン2のキャピラリー先端部6が密閉容器1内に配設されてなり、前記プラズマガン2の密閉容器1外にある端部には排気装置7が連結されており、また、前記密閉容器1にはガス導入部8が設けられており、該ガス導入部8には反応性原料ガス供給ユニット9が連結されている。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

容器内に試料台を有し、ガス導入部が設けられている密閉容器と、キャピラリーと、該キャピラリーを囲繞するプラズマ発生用電極を具備したプラズマガンとからなる吸引型プラズマエッチング装置であって、前記キャピラリーの少なくとも先端部は前記密閉容器内に配設され、試料台上に載置されるエッチング対象物に対向して設置される構造であり、前記キャピラリーの後部端部は前記密閉容器外に設置された排気装置と連結されており、ガス導入部から前記密閉容器内に導入された反応用原料ガスを前記キャピラリーの先端開口部から吸引するようにした構造であることを特徴とする吸引型プラズマエッチング装置。

IPC (2)：

H01L 21/306 , H05H 1/46

FI (2)：

H01L21/302 101E , H05H1/46 L

F-Term (10)：

5F004AA02 , 5F004BA20 , 5F004BB18 , 5F004BB28 , 5F004BD07 , 5F004DA01 , 5F004DB01 , 5F004DB03 , 5F004DB08 , 5F004DB25

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (10)

ラジカル反応を用いた加工装置および加工方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-213568 Applicant：森勇藏, 株式会社ニコン
プラズマ加工装置およびプラズマ加工方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2007-015177 Applicant：シャープ株式会社, 森勇蔵
プラズマエッチング装置およびエッチングの方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-377836 Applicant：株式会社ケミトロニクス

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