MIS型半導体装置およびその製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2017093745
Publication number (International publication number)：2018190876
Application date： May. 10, 2017
Publication date： Nov. 29, 2018
Summary：

【課題】絶縁膜の誘電率が高く、半導体と絶縁膜の間に中間層を形成しにくいMIS型半導体装置を提供する。【解決手段】半導体層と絶縁体層と導電体層を有し、絶縁体層が半導体層と導電体層で挟まれたMIS型半導体装置であって、半導体層はGaNを含み、絶縁体層はランタンフッ化物を含むMIS型半導体装置。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

半導体層と絶縁体層と導電体層を有し、前記絶縁体層が前記半導体層と前記導電体層で挟まれたMIS型半導体装置であって、前記半導体層はGaN、ZnS、β-Ga2O3、C、AlNの群から選ばれる少なくとも1以上の半導体を含み、前記絶縁体層はランタンフッ化物を含む、MIS型半導体装置。

IPC (2)：

H01L 21/336 , H01L 29/78

FI (2)：

H01L29/78 301B , H01L29/78 301G

F-Term (27)：

5F140AA25 , 5F140BA00 , 5F140BA01 , 5F140BA06 , 5F140BA10 , 5F140BB04 , 5F140BD04 , 5F140BE09 , 5F140BE17 , 5F140BF01 , 5F140BF04 , 5F140BF05 , 5F140BF06 , 5F140BF07 , 5F140BF08 , 5F140BF10 , 5F140BG36 , 5F140BG38 , 5F140BG44 , 5F140BG58 , 5F140BH30 , 5F140BJ01 , 5F140BJ04 , 5F140BJ05 , 5F140BJ06 , 5F140BJ08 , 5F140BJ10

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (7)

半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-226974 Applicant：三洋電機株式会社
フッ化物スパッタリングターゲット及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-268217 Applicant：株式会社日鉱マテリアルズ
半導体装置用ゲート絶縁膜及び同絶縁膜の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-268208 Applicant：株式会社日鉱マテリアルズ

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