半導体装置用ゲート絶縁膜及び同絶縁膜の製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：小越勇 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001268208
Publication number (International publication number)：2003078135
Application date： Sep. 05, 2001
Publication date： Mar. 14, 2003
Summary：

【要約】【課題】誘電率が高くかつ劣化が少なく、より薄膜化することが可能であり、基板上のSi下地との間に反応(拡散)層が形成され難い等、リーク電流が少ない安定した特性を有する半導体装置用ゲート絶縁膜を得ることを課題とする。【解決手段】 Al,Ba,Ca,Gd,La,Li,Mg,Pb,Yの群から選択した少なくとも一種の元素のフッ化物からなることを特徴とする半導体装置用ゲート絶縁膜。

Claim (excerpt)：

Al,Ba,Ca,Gd,La,Li,Mg,Pb,Yの群から選択した少なくとも一種の元素のフッ化物からなることを特徴とする半導体装置用ゲート絶縁膜。

IPC (4)：

H01L 29/78 , C23C 14/06 , C23C 14/34 , H01L 21/314

FI (4)：

C23C 14/06 G , C23C 14/34 A , H01L 21/314 A , H01L 29/78 301 G

F-Term (17)：

4K029BA42 , 4K029BD01 , 4K029CA05 , 4K029DC05 , 4K029DC09 , 5F058BA01 , 5F058BC20 , 5F058BF12 , 5F058BJ01 , 5F140AA01 , 5F140AA39 , 5F140BA01 , 5F140BD04 , 5F140BE09 , 5F140BE10 , 5F140BF01 , 5F140BF05

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (10)

特開平2-194665
特開昭62-081060
半導体装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-141349 Applicant：株式会社日立製作所

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