Art

J-GLOBAL ID：201902210842154413   Reference number：19A1565407

Ultraviolet-excitation Polishing using Photocatalyst and Cathilon -Availability Study for 4H-SiC Wafer Polishing and XAFS Analysis of Chemical State-

光触媒とCathilonを用いた紫外線励起研磨 -4H-SiCウェハーへの研磨適用性の追究と化学状態のXAFS分析-

Author (3)： TANAKA TAKESHI (立命館大学総合科学技術研究機構) ,  TAKIZAWA MASARU (立命館大学理工学部物理科学科) ,  HATA AKIHIRO (新コスモス電機(株))
Material： 精密工学会誌(Web)  (Journal of the Japan Society for Precision Engineering (Web))
Volume： 85  Issue： 5  Page： 432-439(J-STAGE)  Publication year： 2019 
JST Material Number： U0462A  ISSN： 1882-675X  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *ultraviolet radiation ,  *excitation(physics) ,  *polishing(machining) ,  photocatalyst ,  titanium oxide ,  silicon carbide ,  hexagonal system ,  wafer ,  adaptability ,  chemical property ,  XAFS ,  qualitative analysis ,  oxide
Semi thesaurus term： 4H-SiC ,  Cathilon染料 ,  chemical state ,  *紫外励起研磨

Author keywords (12)： ultraviolet excitation ,  photocatalyst ,  cathilon ,  polishing ,  XAFS ,  4H-SiC ,  ultraviolet excitation ,  photocatalyst ,  cathilon ,  polishing ,  XAFS ,  4H-SiC

JST classification (2)： Manufacturing technology of solid-state devices  (NC03030V) ,  Special machining  (QC04000Y)

Reference (25)：

• 1) 新田浩士: 次世代デバイス基板及び配線の高速, 高精度CMP技術の研究開発, 博士論文, 高知工科大学大学院, 2009.12.11.
• 2) 平野真也, 河田研治, 浅水啓州, 加藤智久: パワーエレクトロニクス用SiCウェハーの高能率CMPプロセスの開発, 砥粒加工学会誌, 60, 8 (2016) 454.
• 3) 山村和也, 瀧口達也, 上田真己, 鄧 輝, 服部 梓, 是津信行: プラズマ援用研磨による4H-SiC(0001)表面の高品位仕上げ加工, 砥粒加工学会誌, 55, 9 (2011) 534.
• 4) 久住孝幸, 佐藤安弘, 池田 洋, 赤上陽一, 梅原徳次: 炭化ケイ素基盤のための電界砥粒分布制御研磨に関する研究, 精密工学会誌, 79, 1 (2013) 87.
• 5) 栗田恒雄, 三宅晃司, 河田研治, 芦田 極, 加藤智久: 単結晶SiC高能率複合研磨法の開発, 砥粒加工学会誌, 58, 1 (2014) 30.

Terms in the title (9)： 光触媒 ,  紫外線 ,  励起 ,  研磨 ,  4H-SiC ,  ウェハー ,  化学状態 ,  XAFS ,  分析