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J-GLOBAL ID：201902242666899875   Reference number：19A1616983

Ultra-low resistance contact for n-type Ge_1-xSn_x with in-situ Sb heavily doping and nickel stanogermanide formation

高濃度in-situ Sbドーピングおよびニッケル錫ゲルマニウム合金化によるn型Ge_1-xSn_xの超低抵抗コンタクト

Author (7)： JEON Jihee (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  SUZUKI Akihiro (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  SUZUKI Akihiro (SUMCO corp., Imari, JPN) ,  SHIBAYAMA Shigehisa (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  ZAIMA Shigeaki (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  ZAIMA Shigeaki (Meijo Univ., Nagoya, JPN) ,  NAKATSUKA Osamu (Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
Material： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
Volume： 119  Issue： 96(SDM2019 25-35)  Page： 5-9  Publication year： Jun. 14, 2019 
JST Material Number： S0532B  ISSN： 0913-5685  Document type： Proceedings
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *germanium compound ,  *tin compound ,  *antimony ,  *doping ,  nickel base alloy ,  tin base alloy ,  germanium base alloy ,  *contact resistance ,  carrier mobility ,  complementary metal oxide semiconductor ,  channel ,  annealing(heat treatment) ,  concentration(ratio)
Semi thesaurus term： CMOSFET ,  annealing treatment ,  electron concentration

JST classification (1)： Electrical properties of interfaces in general  (BM03081H)

Reference (33)：

• K.L. Low, Y. Yang, G. Han, W. Fan and Y-C. Yeo, Electronic band structure and effective mass parameters of Ge_1-xSn_x alloys, J. Appl. Phys., vol.112, no.10, 103715 Oct. 2012
• International Technology Roadmap for Semiconductors 2012
• J-Y.J. Lin, A.M. Roy, and K.C. Saraswat, Reduction in Specific Contact Resistivity to n⁺Ge Using TiO₂ Interfacial Layer, IEEE Elec. Dev. Lett., vol.33, no.11, pp.1541-1543, Nov. 2012
• S. Dev, N. Remesh, Y. Rawal, P.P. Manik, B. Wood, and S. Lodha, Low resistivity contact on n-type Ge using low work function Yb with a thin TiO₂ interfacial layer, Appl. Phys. Lett., vol.108, no.10, 103507 Mar. 2016
• P.P. Manik, R.K. Mishra, V.P. Kishore, P. Ray, A. Nainani, Y-C. Huang, M.C. Abraham, U. Ganguly, and S. Lodha, Fermi level unpinning and low resistivity in contacts to n-type Ge with a thin ZnO interfacial layer, Appl. Phys. Lett., vol.101, no.18, 182105 Nov. 2012

Terms in the title (8)： 高濃度 ,  Sb ,  ドーピング ,  ニッケル ,  錫 ,  ゲルマニウム合金 ,  低抵抗 ,  コンタクト