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J-GLOBAL ID：201902274625979198   Reference number：19A2114516

Vertical Ga₂O₃ Schottky Barrier Diodes with Guard Ring Formed by Nitrogen-Ion Implantation

窒素イオン注入により形成されたガードリングを持つ垂直Ga_2O_3Schottky障壁ダイオード【JST・京大機械翻訳】

Author (11)： Lin Chia-Hung (National Institute of Information and Communications Technology, Japan) ,  Yuda Yohei (Mitsubishi Electric Corporation, Japan) ,  Wong Man Hoi (National Institute of Information and Communications Technology, Japan) ,  Sato Mayuko (Tokyo University of Agriculture and Technology, Japan) ,  Takekawa Nao (Tokyo University of Agriculture and Technology, Japan) ,  Konishi Keita (Tokyo University of Agriculture and Technology, Japan) ,  Watahiki Tatsuro (Mitsubishi Electric Corporation, Japan) ,  Yamamuka Mikio (Mitsubishi Electric Corporation, Japan) ,  Murakami Hisashi (Tokyo University of Agriculture and Technology, Japan) ,  Kumagai Yoshinao (Tokyo University of Agriculture and Technology, Japan) ,  Higashiwaki Masataka (National Institute of Information and Communications Technology, Japan)
Material： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conf Proc)
Volume： 2019  Issue： CSW  Page： 1  Publication year： 2019 
JST Material Number： W2441A  Document type： Proceedings
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Abstract/Point： A guard ring (GR) formed by ni...

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Thesaurus term： redistribution ,  doping ,  *nitrogen ,  *ion implantation ,  electric field ,  on resistance ,  anode
Semi thesaurus term： 絶縁破壊電圧 ,  フィールドプレート ,  *窒素イオン ,  *ガードリング , 【Automatic Indexing@JST】

JST classification (1)： Graphic and image processing in general  (JE04010I)

Terms in the title (4)： 窒素イオン ,  注入 ,  ガードリング ,  垂直