Art

J-GLOBAL ID：201902275238266261   Reference number：19A1522633

Local current leakage at threading dislocations in GaN bulk single crystals grown by a modified Na-flux method

修正Naフラックス法により成長させたGaNバルク単結晶中の貫通転位における局所電流漏れ

Author (5)： HAMACHI Takeaki (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  TOHEI Tetsuya (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  IMANISHI Masayuki (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  MORI Yusuke (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  SAKAI Akira (Osaka Univ., Osaka, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics  (JJAP)
Volume： 58  Issue： 5  Page： 050918.1-050918.4  Publication year： May. 2019 
JST Material Number： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *flux growth ,  *gallium nitride ,  compound semiconductor ,  single crystal ,  *crystal ,  *threading dislocation ,  etch pit ,  microscopy ,  *leakage current ,  micro structure ,  concentration(ratio) ,  impurity concentration ,  current-voltage characteristic ,  multiple photon excitation ,  electron microscopy
Semi thesaurus term： *bulk crystal ,  atomic force microscopy ,  oxygen concentration ,  多光子励起光ルミネセンス ,  transmission electron microscopy ,  scanning electron microscopy

JST classification (1)： Lattice defects in semiconductors  (BK12040Q)

Reference (29)：

• S. P. DenBaars et al., Acta Mater. 61, 945 (2013).
• T. Kachi, Jpn. J. Appl. Phys. 53, 100210 (2014).
• S. W. Lee et al., Appl. Phys. Lett. 89, 132117 (2006).
• P. Kozodoy, J. P. Ibbetson, H. Marchand, P. T. Fini, S. Keller, J. S. Speck, S. P. DenBaars, and U. K. Mishra, Appl. Phys. Lett. 73, 975 (1998).
• Y. Huang, X. D. Chen, S. Fung, C. D. Beling, and C. C. Ling, J. Appl. Phys. 94, 5771 (2003).

Terms in the title (7)： Na ,  フラックス法 ,  成長 ,  GaN ,  バルク ,  単結晶 ,  貫通転位