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J-GLOBAL ID：201903003028734591

積層構造体および半導体装置

Inventor： 松田 時宜 ,  四戸 孝 ,  人羅 俊実
Applicant, Patent owner： 株式会社FLOSFIA
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2017191609
Publication number (International publication number)：2019009405
Application date： Sep. 29, 2017
Publication date： Jan. 17, 2019
Summary：

【課題】高温高周波特性等の半導体特性に優れた積層構造体およびその半導体装置を提供する。【解決手段】ε型の酸化物半導体結晶(ε-Ga2O3など)を主成分とする第1の半導体膜と、第1の半導体膜の主成分とは異なる組成の酸化物半導体結晶(ε-(AlGa)2O3など)を主成分とする第2の半導体膜とが積層されている積層構造体を、高電子移動度トランジスタ(HEMT)、ヘテロ接合バイポーラ・トランジスタ(HBT)などの半導体装置のヘテロ接合構造に用いる。【選択図】なし

Claim (excerpt)：

ε型の酸化物半導体結晶を主成分とする第1の半導体膜と、第1の半導体膜の主成分とは異なる組成のε型の酸化物半導体結晶を主成分とする第2の半導体膜とが積層されていることを特徴とする積層構造体。

IPC (10)：

H01L 21/368 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/778 ,  H01L 29/812 ,  H01L 21/331 ,  H01L 29/737 ,  C23C 16/40 ,  C30B 29/16 ,  C30B 25/02 ,  H01L 21/205

FI (7)：

H01L21/368 Z ,  H01L29/80 H ,  H01L29/72 H ,  C23C16/40 ,  C30B29/16 ,  C30B25/02 Z ,  H01L21/205

F-Term (83)：

4G077AA03 ,  4G077BB10 ,  4G077DB01 ,  4G077EF01 ,  4G077HA12 ,  4K030AA02 ,  4K030AA14 ,  4K030BA08 ,  4K030BA11 ,  4K030BA42 ,  4K030BA43 ,  4K030BB12 ,  4K030CA05 ,  4K030CA12 ,  4K030EA01 ,  4K030EA03 ,  4K030FA10 ,  4K030GA02 ,  4K030JA05 ,  4K030JA09 ,  4K030JA10 ,  4K030JA11 ,  4K030LA12 ,  5F003BA92 ,  5F003BE90 ,  5F003BF06 ,  5F003BG06 ,  5F003BM00 ,  5F003BP31 ,  5F045AA00 ,  5F045AB40 ,  5F045AC02 ,  5F045AC07 ,  5F045AC15 ,  5F045AC16 ,  5F045AC17 ,  5F045AC18 ,  5F045AD06 ,  5F045AD07 ,  5F045AD08 ,  5F045AD09 ,  5F045AE01 ,  5F045AE29 ,  5F045AE30 ,  5F045AF01 ,  5F045AF02 ,  5F045AF04 ,  5F045AF13 ,  5F045BB16 ,  5F045CA02 ,  5F045CA07 ,  5F045DA52 ,  5F045DP07 ,  5F045DQ06 ,  5F045EE01 ,  5F045EK06 ,  5F053AA50 ,  5F053BB05 ,  5F053BB13 ,  5F053BB60 ,  5F053DD20 ,  5F053FF02 ,  5F053GG02 ,  5F053HH04 ,  5F053JJ01 ,  5F053JJ03 ,  5F053KK01 ,  5F053KK02 ,  5F053KK10 ,  5F053LL10 ,  5F053RR20 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ01 ,  5F102GJ02 ,  5F102GJ04 ,  5F102GJ10 ,  5F102GK01 ,  5F102GL01 ,  5F102GM01 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR07

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

• ε-Ga2O3単結晶、ε-Ga2O3の製造方法、および、それを用いた半導体素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2015-121248   Applicant：国立研究開発法人物質・材料研究機構
• ガリウム窒化物半導体基板、ガリウム窒化物半導体装置、撮像素子およびそれらの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2018-120352   Applicant：国立研究開発法人物質・材料研究機構
• 窒化ガリウム系の半導体装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2018-120489   Applicant：国立研究開発法人物質・材料研究機構, 富士電機株式会社

Cited by examiner (3)

• ε-Ga2O3単結晶、ε-Ga2O3の製造方法、および、それを用いた半導体素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2015-121248   Applicant：国立研究開発法人物質・材料研究機構
• ガリウム窒化物半導体基板、ガリウム窒化物半導体装置、撮像素子およびそれらの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2018-120352   Applicant：国立研究開発法人物質・材料研究機構
• 窒化ガリウム系の半導体装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2018-120489   Applicant：国立研究開発法人物質・材料研究機構, 富士電機株式会社

Article cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• Heteroepitaxial growth of ε-Ga2O3 thin films on cubic (111) MgO and (111) yttria-stablized zirconia

Cited by examiner (1)

• Heteroepitaxial growth of ε-Ga2O3 thin films on cubic (111) MgO and (111) yttria-stablized zirconia