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J-GLOBAL ID：201903016076467214

窒化ガリウム系の半導体装置及びその製造方法

Inventor： 生田目 俊秀 ,  色川 芳宏 ,  三石 和貴 ,  木本 浩司 ,  小出 康夫 ,  上野 勝典 ,  高島 信也 ,  江戸 雅晴
Applicant, Patent owner： 国立研究開発法人物質・材料研究機構 ,  富士電機株式会社
Agent (1)： 特許業務法人浅村特許事務所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2018120489
Publication number (International publication number)：2019012827
Application date： Jun. 26, 2018
Publication date： Jan. 24, 2019
Summary：

【課題】半導体層と絶縁体層との界面特性が優れている窒化ガリウム系半導体を用いた半導体装置を提供する。【解決手段】半導体装置100が、窒化ガリウムを含む半導体層101と、ゲート電極105と、半導体層101とゲート電極105との間に設けられた絶縁体層102とを備え、窒化ガリウムは単結晶であり、絶縁体層102が、半導体層101に隣接する部分において、酸化ガリウムの結晶を含む第1の絶縁膜103を少なくとも有し、酸化ガリウムの結晶は、窒化ガリウムの結晶格子と面内格子定数aが整合している。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

窒化ガリウムを含む半導体層と、 ゲート電極と、 前記半導体層と前記ゲート電極との間に設けられた絶縁体層と を備え、 前記窒化ガリウムは単結晶であり、 前記絶縁体層が、前記半導体層に隣接する部分において、酸化ガリウムの結晶を含む第1の絶縁膜を少なくとも有し、 前記酸化ガリウムの結晶は、前記窒化ガリウムの結晶格子と面内格子定数aが整合している、半導体装置。

IPC (8)：

H01L 21/336 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/337 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/808 ,  H01L 29/812 ,  H01L 29/12 ,  H01L 21/316

FI (12)：

H01L29/78 301B ,  H01L29/80 V ,  H01L29/78 652T ,  H01L29/78 652D ,  H01L29/78 652B ,  H01L29/78 652J ,  H01L29/78 658E ,  H01L29/78 658A ,  H01L21/316 M ,  H01L21/316 C ,  H01L21/316 U ,  H01L21/316 X

F-Term (52)：

5F058BC03 ,  5F058BD01 ,  5F058BD04 ,  5F058BD05 ,  5F058BD10 ,  5F058BD15 ,  5F058BF02 ,  5F058BF17 ,  5F058BF20 ,  5F058BF62 ,  5F058BF69 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GC07 ,  5F102GD10 ,  5F102GJ04 ,  5F102GL04 ,  5F102GV06 ,  5F102GV07 ,  5F102GV08 ,  5F140AC23 ,  5F140BA06 ,  5F140BA16 ,  5F140BA20 ,  5F140BB15 ,  5F140BD01 ,  5F140BD04 ,  5F140BD11 ,  5F140BE02 ,  5F140BE07 ,  5F140BE09 ,  5F140BE10 ,  5F140BF04 ,  5F140BF05 ,  5F140BF07 ,  5F140BG27 ,  5F140BG28 ,  5F140BG30 ,  5F140BG40 ,  5F140BH49 ,  5F140BJ03 ,  5F140BJ04 ,  5F140BJ07 ,  5F140BJ10 ,  5F140BJ11 ,  5F140BJ15 ,  5F140BK08 ,  5F140BK13 ,  5F140BK20 ,  5F140BK25 ,  5F140CE02 ,  5F140CE07

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

• 半導体素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-230365   Applicant：シャープ株式会社, 川崎雅司
• 半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2014-139636   Applicant：ルネサスエレクトロニクス株式会社
• ε-Ga2O3単結晶、ε-Ga2O3の製造方法、および、それを用いた半導体素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2015-121248   Applicant：国立研究開発法人物質・材料研究機構
• 半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-142410   Applicant：松下電器産業株式会社
• 半導体装置およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-052723   Applicant：松下電器産業株式会社
• 集積トランジスタ素子
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願2002-520272   Applicant：ブラドック,ウォルター,デビッド,IV
• ウルツ鉱型結晶成長用基板およびその製造方法ならびに半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2009-213725   Applicant：キヤノン株式会社
• 半導体基板及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2006-344918   Applicant：株式会社光波