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J-GLOBAL ID：201903007256534212
窒化ケイ素セラミックス基板の製造方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
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,
Agent (11)：
志賀 正武
, 高橋 詔男
, 鈴木 三義
, 村山 靖彦
, 小池 晃
, 河野 貴明
, 志賀 正武
, 高橋 詔男
, 渡邊 隆
, 鈴木 三義
, 村山 靖彦
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2014048165
Publication number (International publication number)：2015063440
Patent number：6471927
Application date： Mar. 11, 2014
Publication date： Apr. 09, 2015
Claim (excerpt)：
【請求項1】柱状のβ窒化ケイ素粒子を含んでなる基板であって、
前記β窒化ケイ素粒子のc軸が前記基板の厚み方向に配向しており、
前記β窒化ケイ素粒子のうち90%以上の粒子は、前記基板の厚み方向に対するc軸の傾きが±20度以内であり、前記β窒化ケイ素粒子のうち50%以上の粒子は、前記基板の厚み方向に対するc軸の傾きが±5度以内である窒化ケイ素セラミックス基板の製造方法であって、
平均粒径が0.1〜0.5μmのα窒化ケイ素粉および平均粒径が0.1〜0.5μmのβ窒化ケイ素粉からなる窒化ケイ素粉、平均粒径が0.5μm以上の種結晶β窒化ケイ素粉および焼結助剤を含む原料粉を、分散剤を含む溶媒に加えて、前記原料粉と前記溶媒を攪拌、混合しながら、前記溶媒に前記原料粉を分散させて、前記原料粉および前記溶媒からなるスラリーを調製する工程と、
前記スラリーを成形用の型に容れて、前記型の厚み方向に沿う中心軸を中心とした回転磁場中で前記スラリーを乾燥し、前記原料粉からなる成形体を成形する工程と、
前記成形体をガス圧焼結法により焼結する工程と、を有することを特徴とする窒化ケイ素セラミックス基板の製造方法。
IPC (3)：
C04B 35/593 ( 200 6.01)
, B28B 1/00 ( 200 6.01)
, H05K 1/03 ( 200 6.01)
C04B 35/593 500
, B28B 1/00 C
, H05K 1/03 610 D
Cited by applicant (5)
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Cited by examiner (5)
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Article cited by the Patent：
Cited by applicant (1)
Cited by examiner (1)
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