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J-GLOBAL ID：201903008010794416

相変化材料および相変化型メモリ素子

Inventor： 須藤 祐司 ,  畑山 祥吾 ,  進藤 怜史 ,  小池 淳一 ,  齊藤 雄太
Applicant, Patent owner： 国立大学法人東北大学
Agent (5)： 青木 篤 ,  三橋 真二 ,  南山 知広 ,  伊坪 公一 ,  遠藤 力
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2017556030
Patent number：6598166
Application date： Dec. 09, 2016
Claim (excerpt)：

【請求項1】 Cr、Ge及びTeを主成分とし、結晶相における抵抗値がアモルファス相における抵抗値よりも大きく、前記Cr、Ge、Te間には、一般化学式、 CrxGeyTe100-x-y で示される関係が存在し、xは15.0-25.0(at.%)、yは15.0-25.0(at.%)の範囲内で、34.0(at.%)≦x+y≦48.0(at.%)となるように選択されている、相変化材料。

IPC (3)：

H01L 21/8239 ( 200 6.01) ,  H01L 27/105 ( 200 6.01) ,  H01L 45/00 ( 200 6.01)

FI (2)：

H01L 27/105 449 ,  H01L 45/00 A

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 相変化型光記録媒体
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2005-123702   Applicant：株式会社リコー
• 相変化材料及び誘電体材料から成る記憶材料を用いた記憶素子
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願2000-544500   Applicant：エナージーコンバーションデバイセスインコーポレイテッド
• 情報記録媒体
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-234725   Applicant：三井石油化学工業株式会社, ケミテック株式会社

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• Cr-Ge-Te薄膜の相変化挙動
• Cr-Ge-Te化合物薄膜の相変化挙動
• N doping effect in Cr2Ge2Te6 phase change material