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J-GLOBAL ID:201903011307888933
スイッチング素子及び熱電変換素子
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
Agent (3):
棚井 澄雄
, 鈴木 史朗
, 宮本 龍
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2019079531
Publication number (International publication number):2019192910
Application date: Apr. 18, 2019
Publication date: Oct. 31, 2019
Summary:
【課題】メタマテリアル完全吸収構造に生成する局所熱を利用するスイッチング素子を提供することである。【解決手段】本発明のスイッチング素子100は、導電性微小構造体1と、金属薄膜2と、それらに挟まれた熱相転移材料層3とからなるメタマテリアル完全吸収構造10を備えている。【選択図】図1
Claim (excerpt):
導電性微小構造体と、金属薄膜と、それらに挟まれた熱相転移材料層とからなる完全吸収メタマテリアル構造を備えたスイッチング素子。
IPC (8):
H01L 35/32
, H01L 29/06
, B82Y 30/00
, H01L 35/34
, H01L 35/14
, H01L 35/24
, H01L 37/02
, H01L 29/66
FI (8):
H01L35/32 A
, H01L29/06 601N
, B82Y30/00
, H01L35/34
, H01L35/14
, H01L35/24
, H01L37/02
, H01L29/66 C
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (7)
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