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J-GLOBAL ID：202002213383926579   Reference number：20A0258946

Ga-Sn-O TFT fabricated on Al₂O₃ insulating film

Al₂O₃絶縁膜上に作製したGa-Sn-O TFT

Author (6)： HATTORI KAZUKI (龍谷大 理工) ,  TANINO KENTA (龍谷大 理工) ,  MATSUDA TOKIYOSHI (龍谷大 革新的材料・プロセス研究セ) ,  KAWAHARAMURA TOSHIYUKI (高知工科大 ナノテクノロジー研) ,  LIU Li (高知工科大 ナノテクノロジー研) ,  KIMURA MUTSUMI (龍谷大 理工)
Material： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
Volume： 119  Issue： 355(EID2019 5-6)  Page： 9-12  Publication year： Dec. 17, 2019 
JST Material Number： S0532B  ISSN： 0913-5685  Document type： Proceedings
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *thin film transistor ,  *oxide ,  gallium compound ,  tin compound ,  Aluminum Oxide ,  *insulating film ,  chemical vapor deposition ,  mist (pollutant) ,  mobility (ratio)

JST classification (1)： Transistors  (NC03070N)

Reference (6)：

• 薄膜材料デバイス研究会編,′′薄膜トランジスタ′′,2008/11,コロナ社
• 細野秀雄,平野正浩、′′酸化物半導体と鉄系超電導・新物質・新機能・応用展開′′,2010/8,シーエムシー出版
• T. Matsuda, et al., ′′Rare-Metal-Free High-Performance Ga-Sn-O Thin Film Transistor′′, Scientific Reports 7, 44326,2017.
• T. Kawaharamura, T. Uchida, M. Sanada,and M. Furuta ′′Growth and electrical properties of AlOx grown by mist chemical vapor deposition′′
• M.D. Groner, J.W. Elam, F.H. Fabreguette, S.M. George, ′′Electrical characterization of thin Al2O3 films grown by atomic layer 23 deposition on silicon and various metal substrates′′

Terms in the title (6)： Al2O3 ,  絶縁膜 ,  作製 ,  Ga ,  Sn ,  TFT