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J-GLOBAL ID：202002284331258198   Reference number：20A1692281

Eradicating negative-Set behavior of TiO₂-based devices by inserting an oxygen vacancy rich zirconium oxide layer for data storage applications

データ蓄積応用のための酸素空孔リッチ酸化ジルコニウム層挿入によるTiO_2ベース素子の負集合挙動の消去【JST・京大機械翻訳】

Author (4)： Ismail Muhammad (School of Electronics Engineering, Chungbuk National University, Cheongju 28644, Republic of Korea) ,  Hashmi Arqum (Center for Computational Sciences, University of Tsukuba, Tsukuba 305-8577, Japan) ,  Rana Anwar Manzoor (Department of Physics, Bahauddin Zakariya University, Multan 60800, Pakistan) ,  Kim Sungjun (Division of Electronics and Electrical Engineering, Dongguk University, Seoul 04620, Republic of Korea)
Material： Nanotechnology
Volume： 31  Issue： 32  Page： 325201 (13pp)  Publication year： 2020 
JST Material Number： W0108A  ISSN： 0957-4484  CODEN： NNOTER  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Abstract/Point： Memristors, with low energy co...

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Thesaurus term： memory(computer) ,  voltage ,  reliability(property) ,  *zirconium oxide ,  *data storage ,  application program ,  hardware ,  density functional method
Semi thesaurus term： 直列抵抗 ,  界面層 ,  抵抗スイッチング ,  *酸素空格子点 ,  ReRAM ,  酸素イオン ,  メモリスタ , 【Automatic Indexing@JST】

JST classification (2)： Semiconductor-metal contacts  (BM03084G) ,  Semiconductor integrated circuit  (NC03162T)

Terms in the title (7)： データ蓄積 ,  応用 ,  酸素空孔 ,  酸化ジルコニウム ,  集合 ,  挙動 ,  消去