フィールドプレートを有するGa2O3系トランジスタ

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Applicant, Patent owner： ,
Agent (4)：特許業務法人平田国際特許事務所 , 平田忠雄 , 遠藤和光 , 伊藤浩行
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2015189802
Publication number (International publication number)：2017069260
Patent number：6653883
Application date： Sep. 28, 2015
Publication date： Apr. 06, 2017
Claim (excerpt)：

【請求項1】 Ga2O3系基板と、前記Ga2O3系基板上に形成されたGa2O3系結晶層と、前記Ga2O3系結晶層中に形成されたソース領域及びドレイン領域と、前記ソース領域及びドレイン領域にそれぞれ接続されたソース電極及びドレイン電極と、前記Ga2O3系結晶層の前記ソース領域とドレイン領域の間の領域上に形成されたゲート電極と、前記Ga2O3系結晶層上に形成された誘電体膜と、を有し、前記ゲート電極が、前記Ga2O3系結晶層上に誘電体膜を介して形成され、前記ゲート電極の底部のドレイン領域側の縁の真上の位置から前記ドレイン領域の方向へ延在するフィールドプレート部を含み、前記誘電体膜の厚さが0.2μm以上かつ0.8μm以下であり、かつ前記フィールドプレート部の延在方向の長さが2μm以上である、又は前記誘電体膜の厚さが0.2μm以上かつ0.4μm以下であり、かつ前記フィールドプレート部の延在方向の長さが1μm以上である、 Ga2O3系トランジスタ。

IPC (3)：

H01L 21/336 ( 200 6.01) , H01L 29/78 ( 200 6.01) , H01L 29/06 ( 200 6.01)

FI (2)：

H01L 29/78 301 B , H01L 29/06 301 F

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

半導体素子及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2013-127962 Applicant：株式会社タムラ製作所, 独立行政法人情報通信研究機構
半導体装置および半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2012-199932 Applicant：ルネサスエレクトロニクス株式会社
半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2013-187764 Applicant：株式会社東芝

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