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J-GLOBAL ID：202102282064779506   Reference number：21A0191527

Behavior of Sn Atoms During Crystallization of Amorphous GeSn

アモルファスGeSnの結晶化におけるSnの振る舞い

Author (2)： ISHIMARU MANABU (九州工業大学大学院工学研究院) ,  NAKAMURA RYUSUKE (大阪府立大学大学院工学研究科)
Material： まてりあ  (Materia Japan)
Volume： 59  Issue： 12  Page： 662-668(J-STAGE)  Publication year： 2020 
JST Material Number： F0163A  ISSN： 1340-2625  CODEN： MTERE2  Document type： Article
Article type： 解説  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： amorphous semiconductor ,  *crystallization ,  thin film transistor ,  electron microscopy ,  in situ observation ,  crystal structure analysis ,  radial distribution function ,  heat treatment ,  electron irradiation ,  phase separation ,  *germanium base alloy ,  *tin containing alloy ,  *semiconductor thin film ,  supersaturation
Semi thesaurus term： 液体媒介結晶化 ,  高濃度化 ,  polycrystalline thin film

Author keywords (5)： germanium-tin ,  amorphous ,  crystallization ,  transmission electron microscopy ,  in situ observations

JST classification (2)： Crystal growth of semiconductors  (BK13040X) ,  Semiconductor thin films  (BK14040E)

Reference (36)：

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Terms in the title (3)： アモルファス ,  結晶化 ,  Sn