薄膜形成方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：森下賢樹
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2020009995
Publication number (International publication number)：2021116201
Application date： Jan. 24, 2020
Publication date： Aug. 10, 2021
Summary：

【課題】厚さ方向の重なりが少ないカーボンナノチューブ薄膜を形成する。【解決手段】薄膜形成方法は、基板10の表面12にカーボンナノチューブ20および液体を与える工程と、液体を超臨界流体26を用いて乾燥させ、基板10の表面12にカーボンナノチューブ20の薄膜を形成する工程と、を備える。基板10の表面12にカーボンナノチューブ20が分散された分散液22を与える工程と、分散液22を有機溶媒24に置換する工程と、をさらに備えてもよい。有機溶媒24は、アルコールであってもよい。超臨界流体26は、二酸化炭素であってもよい。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

基板の表面にカーボンナノチューブおよび液体を与える工程と、前記液体を超臨界流体を用いて乾燥させ、前記基板の表面にカーボンナノチューブの薄膜を形成する工程と、を備えることを特徴とする薄膜形成方法。

IPC (2)：

C01B 32/168 , C01B 32/159

FI (2)：

C01B32/168 , C01B32/159

F-Term (10)：

4G146AA12 , 4G146AB07 , 4G146AC01A , 4G146AC01B , 4G146AC19A , 4G146AD30 , 4G146CB10 , 4G146CB12 , 4G146CB29 , 4G146CB31

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

カーボンナノチューブ集合体およびカーボンナノチューブ膜
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2017-039236 Applicant：国立研究開発法人産業技術総合研究所
カーボンナノチューブ層含有構造体
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2007-252726 Applicant：富士フイルム株式会社
基板処理装置及び基板処理方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2012-163299 Applicant：セメス株式会社

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