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J-GLOBAL ID：202103004387459967

MIS型半導体装置およびその製造方法

Inventor： 長田 貴弘 ,  知京 豊裕
Applicant, Patent owner： 国立研究開発法人物質・材料研究機構
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2017093745
Publication number (International publication number)：2018190876
Patent number：6955748
Application date： May. 10, 2017
Publication date： Nov. 29, 2018
Claim (excerpt)：

【請求項1】 半導体層と絶縁体層と導電体層を有し、前記絶縁体層が前記半導体層と前記導電体層で挟まれたMIS型半導体装置であって、 前記半導体層はGaN、ZnS、β-Ga2O3、C、AlNの群から選ばれる少なくとも1以上の半導体を含み、 前記絶縁体層はランタンフッ化物を含み、 前記ランタンフッ化物は前記半導体層に直に接している、MIS型半導体装置。

IPC (2)：

H01L 21/336 ( 200 6.01) ,  H01L 29/78 ( 200 6.01)

FI (2)：

H01L 29/78 301 B ,  H01L 29/78 301 G

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

• 半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-226974   Applicant：三洋電機株式会社
• フッ化物スパッタリングターゲット及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-268217   Applicant：株式会社日鉱マテリアルズ
• 半導体装置用ゲート絶縁膜及び同絶縁膜の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-268208   Applicant：株式会社日鉱マテリアルズ
• 特開昭62-281432
  
• 透光性部材、時計、および透光性部材の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2008-048043   Applicant：セイコーエプソン株式会社
• MIS型電界効果トランジスタの製造方法及び半導体記憶装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2006-270742   Applicant：株式会社東芝
• 半導体素子及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2013-127962   Applicant：株式会社タムラ製作所, 独立行政法人情報通信研究機構