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J-GLOBAL ID：202103007948636641

MIS型半導体装置およびその製造方法

Inventor： 長田 貴弘 ,  知京 豊裕
Applicant, Patent owner： 国立研究開発法人物質・材料研究機構
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2017079420
Publication number (International publication number)：2018182058
Patent number：6941346
Application date： Apr. 13, 2017
Publication date： Nov. 15, 2018
Claim (excerpt)：

【請求項1】 半導体層と絶縁体層と導電体層を有し、前記絶縁体層が前記半導体層と前記導電体層で挟まれたMIS型半導体装置であって、 前記絶縁体層はCeF3を含む、MIS型半導体装置。

IPC (3)：

H01L 21/336 ( 200 6.01) ,  H01L 29/78 ( 200 6.01) ,  H01L 21/314 ( 200 6.01)

FI (2)：

H01L 29/78 301 G ,  H01L 21/314 A

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

• 窒化物半導体電界効果トランジスタ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2005-270903   Applicant：富士通株式会社
• ダイヤモンド電界効果トランジスタ及びその作製方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2008-228654   Applicant：日本電信電話株式会社
• 磁石,磁石用磁性材料,コート膜形成処理液及び回転機
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2005-273054   Applicant：株式会社日立製作所
• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-299133   Applicant：株式会社東芝
• 低減された等価酸化膜厚を有する高誘電率ゲートスタックの形成方法
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願2012-502226   Applicant：東京エレクトロン株式会社