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J-GLOBAL ID：202103011498597982

窒化膜成膜方法

Inventor： 西村 真一 ,  渡辺 謙資 ,  山田 義人 ,  寺本 章伸 ,  諏訪 智之 ,  志波 良信
Applicant, Patent owner： 東芝三菱電機産業システム株式会社 ,  国立大学法人東北大学
Agent (2)： 吉竹 英俊 ,  有田 貴弘
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2019500060
Patent number：6963264
Application date： Feb. 14, 2017
Claim (excerpt)：

【請求項1】 処理室(10)内に配置された基板(1)上に窒化膜を成膜する窒化膜成膜方法であって、 (a) シラン系ガスを前記処理室に供給するステップと、 (b) 窒素ラジカルガスを前記処理室に供給するステップと、 (c) 前記処理室内でプラズマ現象を生じさせることなく、前記ステップ(a) で供給されるシラン系ガスと前記ステップ(b) で供給される窒素ラジカルガスとを反応させて、前記基板上に窒化膜を成膜するステップとを備え、 前記ステップ(c) は、シラン系ガスが分解する温度以上に前記基板の表面温度を加熱する加熱処理を含み、 前記ステップ(b) は、前記処理室とは別に設けられたラジカル発生器(20)内で窒素ガスから窒素ラジカルガスを生成し、生成した窒素ラジカルガスを前記処理室に供給するステップを含み、 前記ラジカル発生器を加熱することで400°C以下の状態で窒素ラジカルガスを生成することを特徴とする、 窒化膜成膜方法。

IPC (3)：

H01L 21/318 ( 200 6.01) ,  C23C 16/42 ( 200 6.01) ,  C23C 16/503 ( 200 6.01)

FI (3)：

H01L 21/318 B ,  C23C 16/42 ,  C23C 16/503

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

• 特開昭61-222534
  
• 処理装置および活性種の生成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2013-261157   Applicant：東京エレクトロン株式会社
• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2006-298497   Applicant：三菱電機株式会社
• 薄膜形成装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-015746   Applicant：株式会社東芝
• 特開平4-136171
  
• プラズマ成膜装置,プラズマ成膜方法,半導体装置の製造方法,液晶表示装置の製造方法及び有機EL素子の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-325301   Applicant：大見忠弘, 東京エレクトロン株式会社
• プラズマ化学蒸着装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-122245   Applicant：三菱重工業株式会社