Pat

J-GLOBAL ID：202103012449606948

基体および基体の製造方法

Inventor： 西中 浩之 ,  吉本 昌広
Applicant, Patent owner： 国立大学法人京都工芸繊維大学
Agent (3)： 木村 満 ,  森川 泰司 ,  龍竹 史朗
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2020078846
Publication number (International publication number)：2020114799
Patent number：6890858
Application date： Apr. 28, 2020
Publication date： Jul. 30, 2020
Claim (excerpt)：

【請求項1】 サファイア基板と、 前記サファイア基板上に形成され、α-Cr2O3からなる緩衝層と、 前記緩衝層の上に形成され、菱面体晶構造を有するITO(Indium Tin Oxide)からなる導電体層と、を備える、 基体。

IPC (3)：

C30B 29/22 ( 200 6.01) ,  C30B 25/18 ( 200 6.01) ,  C23C 16/448 ( 200 6.01)

FI (3)：

C30B 29/22 Z ,  C30B 25/18 ,  C23C 16/448

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 低抵抗ITO薄膜及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-187755   Applicant：ホーヤ株式会社
• 基板、テンプレート基板、半導体発光素子、半導体発光素子の製造方法、半導体発光素子を用いた照明装置および電子機器
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2009-286938   Applicant：昭和電工株式会社
• 半導体装置および結晶
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2012-218891   Applicant：ROCA株式会社

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• Growth of corundum-structured (InxGa1-x)2O3 alloy thin films on sapphire substrates with buffer laye
• Growth of corundum-structured In2O3 thin films on sapphire substrates with Fe2O3 buffer layers