半導体型カーボンナノチューブの分離方法および半導体素子の製造方法

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Applicant, Patent owner：
Agent (3)：藤谷修 , 一色昭則 , 角谷智広
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2017066945
Publication number (International publication number)：2018168018
Patent number：6938013
Application date： Mar. 30, 2017
Publication date： Nov. 01, 2018
Claim (excerpt)：

【請求項1】 2相分離する第1物質および第2物質と、ドデシル硫酸ナトリウムと、コール酸ナトリウムと、を溶媒に混合してカーボンナノチューブを含まない混合溶液を作製し、その後、前記混合溶液に、金属型と半導体型が混在したカーボンナノチューブを加えて混合して分散液を作製し、前記分散液を、前記第1物質を主として含む第1層と、前記第2物質を主として含む第2層の2層に分離し、それに伴って、半導体型カーボンナノチューブを前記第1層に移動させ、金属型カーボンナノチューブを前記第2層に移動させることにより、半導体型カーボンナノチューブを分離する、を有することを特徴とする半導体型カーボンナノチューブの分離方法。

IPC (8)：

C01B 32/172 ( 201 7.01) , B82Y 30/00 ( 201 1.01) , B82Y 40/00 ( 201 1.01) , H01B 13/00 ( 200 6.01) , H01B 1/04 ( 200 6.01) , H01B 5/00 ( 200 6.01) , H01L 29/06 ( 200 6.01) , H01L 29/786 ( 200 6.01)

FI (8)：

C01B 32/172 ZNM , B82Y 30/00 , B82Y 40/00 , H01B 13/00 501 Z , H01B 1/04 , H01B 5/00 H , H01L 29/06 601 N , H01L 29/78 618 B

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

薄膜トランジスタの製造方法及びその製造方法により製造された薄膜トランジスタ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2007-272789 Applicant：ブラザー工業株式会社
太陽電池の形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-297618 Applicant：京セラ株式会社
固体コンデンサアノードの製造における粉末改質
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Cited by examiner (2)

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