薄膜トランジスタの製造方法及びその製造方法により製造された薄膜トランジスタ

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：山本尚
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007272789
Publication number (International publication number)：2009105083
Application date： Oct. 19, 2007
Publication date： May. 14, 2009
Summary：

【課題】ソース電極及びドレイン電極と半導体層とが良好な導通特性を有する薄膜トランジスタの製造方法及びその製造方法により製造された薄膜トランジスタを提供すること。【解決手段】薄膜トランジスタ1の基板2の上面には、ゲート電極6が形成され、当該ゲート電極6を覆うようにしてゲート絶縁層5が設けられる。ゲート絶縁層5の上面には、ソース電極3、ドレイン電極4及び半導体層7が各々設けられ、ソース電極3及び半導体層7間のゲート絶縁層5上には、当該ソース電極3の端部と半導体層7の端部とを覆うように銀ナノインク9が塗布されて電気的に接続(コンタクト)されている。また、ドレイン電極4及び半導体層7間のゲート絶縁層5上にも、当該ドレイン電極4の端部と半導体層7の端部とを覆うように銀ナノインク10が塗布されて電気的に接続(コンタクト)されている。【選択図】図2

Claim (excerpt)：

基板上にゲート電極を形成するゲート電極形成工程と、前記ゲート電極を覆うように前記基板上にゲート絶縁層を形成するゲート絶縁層形成工程と、前記ゲート絶縁層上に、ソース電極及びドレイン電極を互いに離間して形成するソース・ドレイン電極形成工程と、前記ソース電極及び前記ドレイン電極間の前記ゲート絶縁層上に、前記ソース電極及び前記ドレイン電極と離間して、少なくともカーボンナノチューブを含む水溶液からなる分散液を塗布してカーボンナノチューブからなる半導体層を形成する半導体層形成工程と、前記半導体層と前記ソース電極との間及び前記半導体層と前記ドレイン電極との間に各々導電性液体を塗布して導電部を形成する導電性液体塗布工程とを備えたことを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。

IPC (5)：

H01L 21/336 , H01L 29/786 , H01L 21/28 , H01L 21/288 , H01L 21/208

FI (8)：

H01L29/78 616K , H01L29/78 618B , H01L29/78 616S , H01L29/78 616V , H01L29/78 618A , H01L21/28 301B , H01L21/288 Z , H01L21/208 Z

F-Term (57)：

4M104AA09 , 4M104AA10 , 4M104BB08 , 4M104BB09 , 4M104BB36 , 4M104CC01 , 4M104DD51 , 4M104DD68 , 4M104DD78 , 4M104GG09 , 4M104GG10 , 4M104GG14 , 5F053AA50 , 5F053DD20 , 5F053FF10 , 5F053GG10 , 5F053HH10 , 5F053LL10 , 5F110AA01 , 5F110AA03 , 5F110AA16 , 5F110BB01 , 5F110CC01 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD11 , 5F110DD25 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE43 , 5F110EE47 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF27 , 5F110GG01 , 5F110GG06 , 5F110GG28 , 5F110GG42 , 5F110GG57 , 5F110GG58 , 5F110HK01 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK07 , 5F110HK21 , 5F110HK32 , 5F110HK41 , 5F110HK42 , 5F110HM02 , 5F110HM04 , 5F110NN02 , 5F110QQ14

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

電界効果トランジスタ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-204182 Applicant：日本電気株式会社
カーボンナノチューブパターンの形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2004-255667 Applicant：富士ゼロックス株式会社

Cited by examiner (4)

電界効果トランジスタの製造方法およびその方法で製造された電界効果トランジスタ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2004-335779 Applicant：株式会社日立製作所
金属的カーボンナノチューブの分離方法ならびに半導体的カーボンナノチューブ薄膜の製造方法ならびに薄膜トランジスタおよびその製造方法ならびに電子素子およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2005-219845 Applicant：ソニー株式会社
電子部品の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2006-097360 Applicant：大日本インキ化学工業株式会社, 光村印刷株式会社

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