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J-GLOBAL ID：202103013904316275

スイッチング素子

Inventor： 永岡 達司 ,  西中 浩之 ,  吉本 昌広
Applicant, Patent owner： 株式会社デンソー ,  国立大学法人京都工芸繊維大学
Agent (1)： 特許業務法人快友国際特許事務所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2020021847
Publication number (International publication number)：2021128990
Application date： Feb. 12, 2020
Publication date： Sep. 02, 2021
Summary：

【課題】 ヘテロ接合界面を有するスイッチング素子において、ゲート電極に電圧が印加されていない状態におけるリーク電流を低減する。【解決手段】 スイッチング素子であって、第1化合物半導体層と、前記第1化合物半導体層に対してヘテロ接合する第2化合物半導体層と、前記第1化合物半導体層と前記第2化合物半導体層の界面に対して対向するゲート電極、を有する。前記第1化合物半導体層と前記第2化合物半導体層の少なくとも一方が、強誘電性を有する。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

スイッチング素子であって、 第1化合物半導体層と、 前記第1化合物半導体層に対してヘテロ接合する第2化合物半導体層と、 前記第1化合物半導体層と前記第2化合物半導体層の界面に対して対向するゲート電極、 を有し、 前記第1化合物半導体層と前記第2化合物半導体層の少なくとも一方が、強誘電性を有する、スイッチング素子。

IPC (4)：

H01L 21/338 ,  H01L 29/778 ,  H01L 29/812 ,  H01L 41/257

FI (2)：

H01L29/80 H ,  H01L41/257

F-Term (8)：

5F102FA03 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ01 ,  5F102GL01 ,  5F102GM01 ,  5F102GQ01

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

• 積層構造体および半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2017-191609   Applicant：株式会社FLOSFIA
• 特公昭48-005865
  
• 特開昭63-216380
  
• 半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2018-156411   Applicant：株式会社FLOSFIA
• 電界効果型トランジスタ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2006-143069   Applicant：シャープ株式会社

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• Crystal Structure and Ferroelectric Properties of ε-Ga2O3 Films Grown on (0001)-Sapphire