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J-GLOBAL ID：200903034819160357

電界効果型トランジスタ

Inventor：
寺口 信明

About 寺口 信明


Applicant, Patent owner：
シャープ株式会社

About シャープ株式会社


Agent (6)： 深見 久郎 ,  森田 俊雄 ,  仲村 義平 ,  堀井 豊 ,  野田 久登 ,  酒井 將行
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006143069
Publication number (International publication number)：2007317729
Application date： May. 23, 2006
Publication date： Dec. 06, 2007
Summary：
【課題】窒化物半導体層のヘテロ構造を含むノーマリオフタイプのFETを提供する。【解決手段】格子定数a1およびバンドギャップEg1を有する第1窒化物半導体層と、第1窒化物半導体層上に積層されていて格子定数a2およびバンドギャップEg2を有する第2窒化物半導体層と、第2窒化物半導体層上に形成されたソース電極およびドレイン電極と、ソース電極とドレイン電極との間の領域において第2窒化物半導体層上に形成されたピエゾ効果膜と、ピエゾ効果膜の領域上に形成されたゲート電極とを含み、格子定数a1とa2との関係がa1>a2であり、バンドギャップEg1とEg2との関係がEg1<Eg2であり、ピエゾ効果膜の第2窒化物半導体層側の表面における残留分極密度が、第1窒化物半導体層と第2窒化物半導体層との界面における2次元電子ガス層の電荷密度以上であって、ピエゾ効果膜の第2窒化物半導体層側の表面にマイナス電荷が分極している電界効果型トランジスタである。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
格子定数a1およびバンドギャップEg1を有する第1窒化物半導体層と、 前記第1窒化物半導体層上に積層されていて格子定数a2およびバンドギャップEg2を有する第2窒化物半導体層と、 前記第2窒化物半導体層上に形成されたソース電極およびドレイン電極と、 前記ソース電極と前記ドレイン電極との間の少なくとも一部の領域において前記第2窒化物半導体層上に形成されたピエゾ効果膜と、 前記ピエゾ効果膜の少なくとも一部の領域上に形成されたゲート電極とを含み、 前記格子定数a1とa2との関係がa1>a2であり、 前記バンドギャップEg1とEg2との関係がEg1<Eg2であり、 前記ピエゾ効果膜の前記第2窒化物半導体層側の表面における残留分極密度が、前記第1窒化物半導体層と前記第2窒化物半導体層との界面における2次元電子ガス層の電荷密度以上であって、前記ピエゾ効果膜の前記第2窒化物半導体層側の表面にマイナス電荷が分極していることを特徴とする、電界効果型トランジスタ。
IPC (4)：
H01L 21/338 ,  H01L 29/778 ,  H01L 29/812 ,  H01L 29/78
FI (4)：
H01L29/80 H ,  H01L29/80 Q ,  H01L29/78 301B ,  H01L29/78 301G
F-Term (37)：
5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GD10 ,  5F102GJ02 ,  5F102GK04 ,  5F102GK08 ,  5F102GL04 ,  5F102GL07 ,  5F102GL09 ,  5F102GM04 ,  5F102GM07 ,  5F102GM08 ,  5F102GM10 ,  5F102GQ01 ,  5F102GS01 ,  5F102GS03 ,  5F102HC01 ,  5F102HC11 ,  5F140AA00 ,  5F140AA04 ,  5F140AC28 ,  5F140BA02 ,  5F140BA06 ,  5F140BA09 ,  5F140BA16 ,  5F140BB06 ,  5F140BB18 ,  5F140BD04 ,  5F140BD13 ,  5F140BE09 ,  5F140BF01 ,  5F140BF05 ,  5F140BJ05 ,  5F140BJ11 ,  5F140BJ15 ,  5F140CE02
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (1)
  • 米国特許第5,192,987号明細書
Cited by examiner (10)
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