半導体装置

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2020010928
Publication number (International publication number)：2021118266
Application date： Jan. 27, 2020
Publication date： Aug. 10, 2021
Summary：

【課題】耐圧等の半導体特性に優れている半導体装置を提供する。【解決手段】絶縁体基板11と、誘電体膜15と、半導体層18とを含む縦型半導体装置であって、絶縁体基板上11に、誘電体膜15及び半導体層18が積層されており、絶縁体基板11が、半導体層18と同じ結晶構造を有する結晶基板である。【選択図】図11

Claim (excerpt)：

絶縁体基板と、誘電体膜と、半導体層とを含む縦型半導体装置であって、前記絶縁体基板上に、前記誘電体膜及び前記半導体層が積層されており、前記絶縁体基板が、前記半導体層と同じ結晶構造を有する結晶基板であることを特徴とする半導体装置。

IPC (11)：

H01L 29/12 , H01L 29/78 , C30B 25/04 , C30B 29/16 , H01L 29/24 , H01L 29/739 , H01L 21/336 , H01L 29/872 , H01L 21/329 , H01L 21/365 , H01L 21/368

FI (11)：

H01L29/78 652T , C30B25/04 , C30B29/16 , H01L29/24 , H01L29/78 652C , H01L29/78 655A , H01L29/78 658E , H01L29/86 301D , H01L29/86 301P , H01L21/365 , H01L21/368 Z

F-Term (62)：

4G077AA03 , 4G077BB10 , 4G077DB05 , 4G077EA02 , 4G077EA03 , 4G077EA06 , 4G077EB01 , 4G077ED05 , 4G077ED06 , 4G077EE07 , 4G077FB06 , 4G077HA06 , 4G077HA12 , 4G077TA04 , 4G077TA07 , 4G077TB04 , 4G077TB13 , 4G077TC02 , 4G077TC06 , 4G077TC12 , 4G077TG04 , 4G077TG07 , 4G077TK01 , 4G077TK06 , 4G077TK08 , 5F045AA03 , 5F045AA04 , 5F045AA05 , 5F045AA15 , 5F045AB40 , 5F045AC11 , 5F045AC13 , 5F045AC15 , 5F045AC16 , 5F045AD08 , 5F045AD09 , 5F045AD10 , 5F045AD11 , 5F045AE15 , 5F045AE17 , 5F045AF09 , 5F045AF13 , 5F045BB16 , 5F045CA05 , 5F045CA07 , 5F045CA15 , 5F045DA53 , 5F045DP03 , 5F045DP04 , 5F045EF02 , 5F045EF08 , 5F045EK06 , 5F053AA50 , 5F053BB60 , 5F053DD20 , 5F053FF01 , 5F053GG06 , 5F053HH10 , 5F053KK01 , 5F053KK02 , 5F053KK10 , 5F053LL10

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

結晶性積層構造体およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2014-239389 Applicant：株式会社FLOSFIA
結晶性酸化物半導体膜およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2016-131157 Applicant：株式会社FLOSFIA
高周波ダイオード
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-336317 Applicant：株式会社豊田中央研究所

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