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J-GLOBAL ID：202103018210761990

単結晶ダイヤモンドおよびそれを用いた半導体素子

Inventor： 大曲 新矢 ,  山田 英明 ,  茶谷原 昭義 ,  杢野 由明
Applicant, Patent owner： 国立研究開発法人産業技術総合研究所
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2020058458
Publication number (International publication number)：2020128328
Patent number：6858384
Application date： Mar. 27, 2020
Publication date： Aug. 27, 2020
Claim (excerpt)：

【請求項1】 基板上に形成された単層の単結晶ダイヤモンド層であり、点欠陥を含む第1の単結晶ダイヤモンド層を備え、 前記第1の単結晶ダイヤモンド層は、前記基板よりも低い転位密度を有し、 転位が厚み方向に伝搬した第1の領域と、 前記厚み方向において前記第1の領域上に配置され、前記転位の伝搬が抑制された第2の領域とを含む、単結晶ダイヤモンド。

IPC (6)：

C30B 29/04 ( 200 6.01) ,  C30B 25/20 ( 200 6.01) ,  C01B 32/26 ( 201 7.01) ,  C23C 16/27 ( 200 6.01) ,  H01L 29/872 ( 200 6.01) ,  H01L 29/47 ( 200 6.01)

FI (11)：

C30B 29/04 G ,  C30B 29/04 X ,  C30B 25/20 ,  C30B 29/04 E ,  C01B 32/26 ,  C23C 16/27 ,  H01L 29/86 301 M ,  H01L 29/86 301 D ,  H01L 29/86 301 F ,  H01L 29/48 D ,  H01L 29/48 F

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (6)

• 合成ダイヤモンドを生成するためのシステム及び方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2012-108309   Applicant：アポロダイアモンド,インコーポレイティド
• 不純物ドープダイヤモンド及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2015-098261   Applicant：国立研究開発法人産業技術総合研究所
• CVD単結晶ダイヤモンド材料
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願2012-549314   Applicant：エレメントシックスリミテッド
• ダイヤモンド光学素子
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願2013-522231   Applicant：エレメントシックスリミテッド, ウニヴェルシテートシュトゥットガルト
• ダイヤモンド結晶、ダイヤモンド結晶膜、ダイヤモンド発光素子およびそれらの形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-054195   Applicant：キヤノン株式会社
• 高結晶品質の合成ダイヤモンド
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願2008-543937   Applicant：エレメントシックステクノロジーズ(プロプライアタリー)リミテッド