ダイヤモンド光学素子

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (7)：辻居幸一 , 熊倉禎男 , 弟子丸健 , 井野砂里 , 松下満 , 倉澤伊知郎 , 渡邊誠
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2013522231
Publication number (International publication number)：2013540198
Application date： Aug. 02, 2011
Publication date： Oct. 31, 2013
Summary：

光学素子の製造方法であって、この方法は、第1の窒素濃度を有する気相を用いて化学蒸着技術により単結晶ダイヤモンド材料の第1の層を成長させるステップと、第2の窒素濃度を有する気相を用いて化学蒸着技術により第1の層上に単結晶ダイヤモンド材料の第2の層を成長させるステップとを有し、第2の窒素濃度は、第1の窒素濃度よりも低く、この方法は、第2の単結晶ダイヤモンド材料層の少なくとも一部分から光学素子を形成するステップと、光の取り出しを増大させるために光学素子の表面のところに取り出し構造体を形成するステップとを更に有する、方法。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

光学素子の製造方法であって、前記方法は、第1の窒素濃度を有する気相を用いて化学蒸着技術により単結晶ダイヤモンド材料の第1の層を成長させるステップを有し、第2の窒素濃度を有する気相を用いて化学蒸着技術により前記第1の層上に単結晶ダイヤモンド材料の第2の層を成長させるステップを有し、前記第2の窒素濃度は、前記第1の窒素濃度よりも低く、前記第2の単結晶ダイヤモンド材料層の少なくとも一部分から光学素子を形成するステップを有し、光の取り出しを増大させるために前記光学素子の表面のところに取り出し構造体を形成するステップを有し、前記第1の単結晶ダイヤモンド材料層の成長は、窒素分子として計算して300ppb(十億分率)以上且つ5ppm(百万分率)以下の窒素濃度を有する気相を用いて行われ、前記第2の単結晶ダイヤモンド材料層の成長は、窒素分子として計算して0.001ppb以上且つ250ppb以下の窒素濃度を有する気相を用いて行われる、方法。

IPC (2)：

C23C 16/27 , C30B 29/04

FI (2)：

C23C16/27 , C30B29/04 W

F-Term (24)：

4G077AA02 , 4G077AA03 , 4G077AB01 , 4G077AB02 , 4G077BA03 , 4G077DB01 , 4G077EB01 , 4G077ED06 , 4G077EF04 , 4G077HA01 , 4G077TA04 , 4G077TC13 , 4G077TC19 , 4G077TK01 , 4K030AA09 , 4K030AA17 , 4K030BA28 , 4K030BB02 , 4K030BB12 , 4K030CA01 , 4K030DA04 , 4K030FA10 , 4K030JA01 , 4K030JA06

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

ダイヤモンドに形成された構造
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2008-521606 Applicant：アポロダイヤモンド,インク
ダイヤモンド単結晶基板及び、その製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2007-013858 Applicant：住友電気工業株式会社
ソリッドステート材料
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2011-519233 Applicant：エレメントシックスリミテッド

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