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J-GLOBAL ID:201703011447589656
不純物ドープダイヤモンド及びその製造方法
Inventor:
,
,
,
,
Applicant, Patent owner:
Agent (5):
山田 威一郎
, 立花 顕治
, 田中 順也
, 松井 宏記
, 水谷 馨也
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2015098261
Publication number (International publication number):2016213409
Application date: May. 13, 2015
Publication date: Dec. 15, 2016
Summary:
【課題】単結晶構造を有している不純物ドープダイヤモンドを提供する。【解決手段】ダイヤモンドに不純物がドープされた、不純物ドープダイヤモンドであって、不純物ドープダイヤモンドは、ホウ素及びリンの少なくとも一方を不純物として、その濃度が、1×1018cm-3〜1×1022cm-3であり、熱フィラメントCVD法により好適に高濃度不純物ドープダイヤモンドを長時間にわたり合成することができ、単結晶構造を有している。透過FT-IRによって測定される有効アクセプタ密度と、二次イオン質量分析法で測定される不純物濃度との比によって算出されるホール活性化率(有効アクセプタ密度/不純物濃度)が、95%以上である。【選択図】なし
Claim (excerpt):
ダイヤモンドに不純物がドープされた、不純物ドープダイヤモンドであって、
前記不純物ドープダイヤモンドは、熱フィラメントCVD法により合成されており、単結晶構造を有している、不純物ドープダイヤモンド。
IPC (5):
H01L 21/205
, C30B 29/04
, C01B 31/06
, C23C 16/27
, C23C 16/44
FI (5):
H01L21/205
, C30B29/04 G
, C01B31/06 Z
, C23C16/27
, C23C16/44 A
F-Term (49):
4G077AA02
, 4G077AA03
, 4G077AB01
, 4G077BA03
, 4G077DB07
, 4G077DB21
, 4G077EA02
, 4G077EA05
, 4G077EA06
, 4G077EB01
, 4G077EC09
, 4G077EC10
, 4G077ED06
, 4G077HA06
, 4G077TA04
, 4G077TA07
, 4G077TB02
, 4G077TC02
, 4G077TC06
, 4G077TC19
, 4G146AA04
, 4G146AA15
, 4G146AA17
, 4G146AC01A
, 4G146AC20A
, 4G146AC27A
, 4G146AD01
, 4G146AD28
, 4G146BC09
, 4K030AA09
, 4K030AA17
, 4K030BA28
, 4K030BB02
, 4K030CA01
, 4K030CA17
, 4K030FA10
, 4K030FA17
, 4K030JA01
, 5F045AA03
, 5F045AA16
, 5F045AB07
, 5F045AC07
, 5F045AC19
, 5F045AD11
, 5F045AD12
, 5F045AD13
, 5F045AD14
, 5F045AF02
, 5F045AF10
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (9)
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調整可能なCVDダイアモンド構造体
Gazette classification:公表公報
Application number:特願2004-564000
Applicant:アポロダイアモンド,インコーポレイティド
-
ダイヤモンド発光素子
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平7-137057
Applicant:株式会社神戸製鋼所
-
特開平3-163820
-
ダイヤモンド基板及びその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2004-302041
Applicant:住友電気工業株式会社
-
透明導電体及び透明導電体の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2013-033096
Applicant:学校法人早稲田大学, 独立行政法人産業技術総合研究所
-
ダイヤモンド電子素子及びその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2010-230124
Applicant:独立行政法人産業技術総合研究所
-
単結晶ダイヤモンド基板
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2009-100870
Applicant:独立行政法人産業技術総合研究所
-
ダイヤモンド薄膜積層体
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2007-223341
Applicant:独立行政法人産業技術総合研究所
-
半導体ダイヤモンド膜の形成方法及び処理方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-111526
Applicant:松下電器産業株式会社
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