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J-GLOBAL ID：202103019587535894

SiC焼結体の製造方法

Inventor： 鹿野 文寿 ,  兵藤 義浩 ,  垣内 一雄 ,  小此木 一成 ,  檜木 達也 ,  近藤 創介
Applicant, Patent owner： 東芝エネルギーシステムズ株式会社 ,  国立大学法人京都大学
Agent (1)： 特許業務法人サクラ国際特許事務所
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2016116796
Publication number (International publication number)：2017222520
Patent number：6884516
Application date： Jun. 13, 2016
Publication date： Dec. 21, 2017
Claim (excerpt)：

【請求項1】 SiC粉末と焼結助剤粉末とを含むスラリーを作製するスラリー作製工程と、 前記スラリーを焼結することによってSiC焼結体を得る焼結工程と を有し、 前記スラリーにおいて、前記焼結助剤粉末は、Al2O3とY2O3とを含み、 前記焼結助剤粉末は、前記SiC粉末と前記焼結助剤粉末との両者を合計した重量に対して、12重量%以上かつ25重量%以下であり、 Al2O3の重量XとY2O3の重量Yとが下記式(A)に示す関係にある、 SiC焼結体の製造方法。 37/63≦X/Y≦44/56 ・・・式(A)

IPC (4)：

C04B 35/565 ( 200 6.01) ,  C04B 35/80 ( 200 6.01) ,  G21C 3/06 ( 200 6.01) ,  G21C 5/00 ( 200 6.01)

FI (4)：

C04B 35/565 ,  C04B 35/80 ,  G21C 3/06 ,  G21C 5/00 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

• 炭化珪素焼結体及びそれを用いた半導体製造用部材、磁気ヘッド製造用部材、耐摩耗摺動部材およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-290268   Applicant：日本タングステン株式会社
• SiC繊維強化型SiC複合材料の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-164996   Applicant：科学技術振興事業団
• SiC繊維強化型SiC複合材料の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2008-240093   Applicant：株式会社エネテック総研
• 緻密な焼結体、その製造方法およびハードディスク記憶装置製造用の該焼結体からなる基板
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-209089   Applicant：エレクトロシュメルツベルク・ケンプテン・ゲゼルシャフト・ミット・ベシュレンクテル・ハフツング
• 炭化ケイ素焼結体及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2006-011576   Applicant：国立大学法人鹿児島大学
• 丸編みされた結晶性炭化ケイ素系繊維構造物で強化された炭化ケイ素系複合材料
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2010-105844   Applicant：グンゼ株式会社
• SiC繊維強化SiC複合材料
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-218313   Applicant：日本カーボン株式会社
• 結晶性炭化ケイ素繊維及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-328461   Applicant：宇部興産株式会社

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 反応焼結法により作製したSiC/SiC複合材料の母相と繊維間の界面処理効果