構造体、テラヘルツ帯域電磁波発振素子及びテラヘルツ帯域電磁波発振装置

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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：特許業務法人雄渾
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2020137591
Publication number (International publication number)：2022033605
Application date： Aug. 17, 2020
Publication date： Mar. 02, 2022
Summary：

【課題】本発明の課題は、高強度の電磁波放射を可能とする構造体、テラヘルツ波帯電磁波発振素子及びテラヘルツ帯域電磁波発振装置を提供することである。【解決手段】上記課題を解決するため、超伝導素子と、第一及び第二の支持基板とを備え、超伝導素子、第一及び第二の支持基板が、超伝導素子の厚さ方向に電気的に導通するよう積層し、第一及び第二の支持基板には、超伝導素子から発生する電磁波を反射する反射機構を各々備えた構造体、テラヘルツ波帯電磁波発振素子及びテラヘルツ帯域電磁波発振装置を提供する。これによれば、超伝導素子から発生した電磁波を、第一及び第二の支持基板の間で反射することで、電磁波を2つの支持基板の間に閉じ込めることが可能となる。そして、閉じ込めた電磁波を超伝導素子にフィードバックすることで、超伝導素子で発生する電磁波の位相同期を高め、高強度の電磁波放射が可能になる。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

超伝導体を含む超伝導素子と、第一の支持基板と、第二の支持基板と、を備え、前記超伝導素子、前記第一の支持基板及び前記第二の支持基板が、前記超伝導素子の厚さ方向に電気的に導通するように積層して配置され、前記第一及び第二の支持基板には、前記超伝導素子から発生する電磁波を反射する反射機構を各々備えることを特徴とする、構造体。

IPC (1)：

H01L 39/22

FI (1)：

H01L39/22 D

F-Term (9)：

4M113AA01 , 4M113AA60 , 4M113AC13 , 4M113AD32 , 4M113AD36 , 4M113BA01 , 4M113BA04 , 4M113BA11 , 4M113CA35

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

連続テラヘルツ電磁波発生装置及び方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2004-057788 Applicant：財団法人高度情報科学技術研究機構
テラヘルツ帯電磁波発振装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2007-204489 Applicant：国立大学法人筑波大学
テラヘルツ帯域電磁波発振素子およびテラヘルツ帯域電磁波発振装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2014-177877 Applicant：国立大学法人筑波大学

Cited by examiner (4)

テラヘルツ帯域電磁波発振素子の発振方法、テラヘルツ帯域電磁波発振素子の発振装置及び分光器
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2018-032280 Applicant：国立大学法人筑波大学
超伝導コヒーレント電磁波発振装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-164112 Applicant：科学技術振興事業団
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