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J-GLOBAL ID：202303010656463580

光モジュール及びその製造方法

Inventor： 石川 靖彦 ,  中井 哲弥 ,  佐々木 駿
Applicant, Patent owner： 株式会社SUMCO ,  国立大学法人豊橋技術科学大学
Agent (2)： 鷲頭 光宏 ,  緒方 和文
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2019160035
Publication number (International publication number)：2021039221
Patent number：7217464
Application date： Sep. 03, 2019
Publication date： Mar. 11, 2021
Claim (excerpt)：

【請求項1】 シリコン基板と、 前記シリコン基板の上面に形成されたGeパターンを含むGeフォトダイオードと、 前記Geフォトダイオードと光結合するように前記シリコン基板上に設けられた光導波路とを備え、 前記光導波路は、 前記シリコン基板の上面に形成された、0.7μm以上1μm未満の厚さを有する下部クラッド層と、 前記下部クラッド層上に形成された光導波路コアと、 前記光導波路コアを覆うように前記下部クラッド層上に形成された上部クラッド層とを備え、 前記下部クラッド層は、前記シリコン基板上の前記Geパターンの形成領域を露出させる開口を有し、 前記光導波路コアの終端部は前記Geパターンの少なくとも上面に接していることを特徴とする光モジュール。

IPC (3)：

G02B 6/12 ( 200 6.01) ,  G02B 6/132 ( 200 6.01) ,  H01L 31/10 ( 200 6.01)

FI (3)：

G02B 6/12 301 ,  G02B 6/132 ,  H01L 31/10 A

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (4)

• 光インターコネクト装置およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-105632   Applicant：株式会社日立製作所
• 光導波装置、光導波モジュール及び光・電気複合デバイス
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2004-360955   Applicant：ソニー株式会社
• Ge系光素子及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2015-122817   Applicant：富士通株式会社, 技術研究組合光電子融合基盤技術研究所
• 欠陥の少ないエピタキシャルフォトニックデバイスを提供する方法およびその結果生じる構造
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願2016-522776   Applicant：マイクロンテクノロジー,インク.

Cited by examiner (4)

• 光インターコネクト装置およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-105632   Applicant：株式会社日立製作所
• 光導波装置、光導波モジュール及び光・電気複合デバイス
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2004-360955   Applicant：ソニー株式会社
• Ge系光素子及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2015-122817   Applicant：富士通株式会社, 技術研究組合光電子融合基盤技術研究所
• 欠陥の少ないエピタキシャルフォトニックデバイスを提供する方法およびその結果生じる構造
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願2016-522776   Applicant：マイクロンテクノロジー,インク.