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J-GLOBAL ID：201703009529915611

欠陥の少ないエピタキシャルフォトニックデバイスを提供する方法およびその結果生じる構造

Inventor：
ミード,ロイ イー.

About ミード,ロイ イー.


Applicant, Patent owner：
マイクロン テクノロジー, インク.

About マイクロン テクノロジー, インク.


Agent (2)： 大菅 義之 ,  野村 泰久
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2016522776
Publication number (International publication number)：2016538713
Application date： Oct. 16, 2014
Publication date： Dec. 08, 2016
Summary：
フォトニックデバイスを形成する方法とその結果生じる構造が記述され、フォトニックデバイスは、基板表面の上方に垂直方向に、かつ、基板表面内に形成されるトレンチ絶縁領域の上方に横方向に、エピタキシャル成長させられる。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
互いの間が離隔されたトレンチ絶縁領域を含む半導体基板と、 エピタキシャルなフォトニックデバイスであって、前記フォトニックデバイスの側縁が前記互いの間が離隔されたトレンチ絶縁領域の上に広がるように、前記互いの間が離隔されたトレンチ絶縁領域の上に、前記互いの間が離隔されたトレンチ絶縁領域と接触して、形成されるフォトニックデバイスと、 を含む、 フォトニック構造。
IPC (6)：
H01L 31/024 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/76 ,  G02B 6/12 ,  G02B 6/13
FI (7)：
H01L31/08 G ,  H01L21/205 ,  H01L21/20 ,  H01L21/76 L ,  G02B6/12 301 ,  G02B6/12 371 ,  G02B6/13
F-Term (55)：
2H147AB05 ,  2H147AB10 ,  2H147DA08 ,  2H147DA10 ,  2H147EA10D ,  2H147EA12D ,  2H147EA13A ,  2H147EA13C ,  2H147EA14B ,  2H147FA02 ,  2H147FA11 ,  2H147FA25 ,  2H147FC01 ,  5F032AA11 ,  5F032AA35 ,  5F032AA44 ,  5F032CA05 ,  5F032CA15 ,  5F032CA17 ,  5F032CA20 ,  5F032DA12 ,  5F032DA25 ,  5F032DA78 ,  5F045AB05 ,  5F045AB12 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AF03 ,  5F045BB12 ,  5F045CA13 ,  5F045DB02 ,  5F045DB08 ,  5F152LL02 ,  5F152LN03 ,  5F152LN33 ,  5F152MM11 ,  5F152NN03 ,  5F152NN15 ,  5F152NN29 ,  5F152NQ03 ,  5F152NQ04 ,  5F152NQ05 ,  5F152NQ08 ,  5F152NQ09 ,  5F849AA01 ,  5F849AB03 ,  5F849AB07 ,  5F849BA30 ,  5F849DA06 ,  5F849EA07 ,  5F849EA11 ,  5F849GA04 ,  5F849GA05 ,  5F849XB05 ,  5F849XB51
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (8)
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Cited by examiner (9)
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