欠陥の少ないエピタキシャルフォトニックデバイスを提供する方法およびその結果生じる構造

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (2)：大菅義之 , 野村泰久
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2016522776
Publication number (International publication number)：2016538713
Application date： Oct. 16, 2014
Publication date： Dec. 08, 2016
Summary：

フォトニックデバイスを形成する方法とその結果生じる構造が記述され、フォトニックデバイスは、基板表面の上方に垂直方向に、かつ、基板表面内に形成されるトレンチ絶縁領域の上方に横方向に、エピタキシャル成長させられる。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

互いの間が離隔されたトレンチ絶縁領域を含む半導体基板と、エピタキシャルなフォトニックデバイスであって、前記フォトニックデバイスの側縁が前記互いの間が離隔されたトレンチ絶縁領域の上に広がるように、前記互いの間が離隔されたトレンチ絶縁領域の上に、前記互いの間が離隔されたトレンチ絶縁領域と接触して、形成されるフォトニックデバイスと、を含む、フォトニック構造。

IPC (6)：

H01L 31/024 , H01L 21/205 , H01L 21/20 , H01L 21/76 , G02B 6/12 , G02B 6/13

FI (7)：

H01L31/08 G , H01L21/205 , H01L21/20 , H01L21/76 L , G02B6/12 301 , G02B6/12 371 , G02B6/13

F-Term (55)：

2H147AB05 , 2H147AB10 , 2H147DA08 , 2H147DA10 , 2H147EA10D , 2H147EA12D , 2H147EA13A , 2H147EA13C , 2H147EA14B , 2H147FA02 , 2H147FA11 , 2H147FA25 , 2H147FC01 , 5F032AA11 , 5F032AA35 , 5F032AA44 , 5F032CA05 , 5F032CA15 , 5F032CA17 , 5F032CA20 , 5F032DA12 , 5F032DA25 , 5F032DA78 , 5F045AB05 , 5F045AB12 , 5F045AB14 , 5F045AB17 , 5F045AF03 , 5F045BB12 , 5F045CA13 , 5F045DB02 , 5F045DB08 , 5F152LL02 , 5F152LN03 , 5F152LN33 , 5F152MM11 , 5F152NN03 , 5F152NN15 , 5F152NN29 , 5F152NQ03 , 5F152NQ04 , 5F152NQ05 , 5F152NQ08 , 5F152NQ09 , 5F849AA01 , 5F849AB03 , 5F849AB07 , 5F849BA30 , 5F849DA06 , 5F849EA07 , 5F849EA11 , 5F849GA04 , 5F849GA05 , 5F849XB05 , 5F849XB51

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (9)

半導体受光装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-305768 Applicant：シャープ株式会社
CMOSイメージセンサ及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2004-369144 Applicant：東部亞南半導體株式會社
センサ、方法、および半導体センサ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2010-066291 Applicant：台湾積體電路製造股ふん有限公司

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