スイッチング素子の製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：弁理士法人快友国際特許事務所
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2020021847
Publication number (International publication number)：2021128990
Patent number：7390654
Application date： Feb. 12, 2020
Publication date： Sep. 02, 2021
Claim (excerpt)：

【請求項1】自発分極を有する半導体層を備えるスイッチング素子の製造方法であって、自発分極制御処理を実施する工程を有し、前記自発分極制御処理の実施前の前記スイッチング素子が、第1化合物半導体層と、前記第1化合物半導体層に対してヘテロ接合する第2化合物半導体層と、前記第1化合物半導体層と前記第2化合物半導体層の界面に対して対向するゲート電極と、前記第1化合物半導体層と前記第2化合物半導体層を介して前記ゲート電極に対向する制御電極、を有し、前記第1化合物半導体層と前記第2化合物半導体層の少なくとも一方が、強誘電性を有し、前記自発分極制御処理では、前記ゲート電極と前記制御電極の間に電圧を印加することによって、前記第1化合物半導体層と前記第2化合物半導体層のうちの少なくとも一方で自発分極を発生させる、製造方法。

IPC (5)：

H01L 21/338 ( 200 6.01) , H01L 29/778 ( 200 6.01) , H01L 29/812 ( 200 6.01) , H01L 29/24 ( 200 6.01) , H10N 30/045 ( 202 3.01)

FI (3)：

H01L 29/80 H , H01L 29/24 , H10N 30/045

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (5)

積層構造体および半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2017-191609 Applicant：株式会社FLOSFIA
特公昭48-005865
特開昭63-216380

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Cited by examiner (5)

積層構造体および半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2017-191609 Applicant：株式会社FLOSFIA
特公昭48-005865
特開昭63-216380

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Article cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

Crystal Structure and Ferroelectric Properties of ε-Ga2O3 Films Grown on (0001)-Sapphire

Cited by examiner (1)

Crystal Structure and Ferroelectric Properties of ε-Ga2O3 Films Grown on (0001)-Sapphire

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