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J-GLOBAL ID：202303019891940635

窒化炭素膜の製造方法および窒化炭素被覆体の製造方法

Inventor： 堀 勝 ,  石川 健治 ,  関根 誠 ,  堤 隆嘉 ,  福永 裕介 ,  近藤 博基
Applicant, Patent owner： 国立大学法人東海国立大学機構
Agent (4)： 弁理士法人あいち国際特許事務所 ,  藤谷 修 ,  一色 昭則 ,  角谷 智広
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2019018092
Publication number (International publication number)：2020125223
Patent number：7296093
Application date： Feb. 04, 2019
Publication date： Aug. 20, 2020
Claim (excerpt)：

【請求項1】基材の第1面にポリアリルエーテルを塗布して塗布層を形成する塗布層形成工程と、窒素原子および水素原子に由来するラジカルを前記塗布層に照射するラジカル照射工程と、を有し、 前記ラジカル照射工程は、 第1期間と前記第1期間の後の第2期間とを有し、 前記第1期間では、 前記塗布層の表面全体を覆わずに前記塗布層の全面をエッチングすることにより、前記塗布層の前記表面と前記基材の第1面との間の距離である膜厚を薄くし、 前記第2期間では、 前記塗布層のエッチングが停止するまで行い、前記塗布層における窒素含有率を高くすることにより前記塗布層全体を窒化炭素膜とすることを含む窒化炭素膜の製造方法。

IPC (1)：

C01B 21/082 ( 200 6.01)

FI (1)：

C01B 21/082 K

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 窒化炭素組成物、当該窒化炭素組成物を有する薄膜トランジスタ並びに当該薄膜トランジスタを有する表示装置、及びそれらの作製方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2004-048985   Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
• ALD表面処理のためのプラズマ処理
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-293898   Applicant：アンテルユニヴェルシテール・ミクロ-エレクトロニカ・サントリュム・ヴェー・ゼッド・ドゥブルヴェ
• 低誘電率膜エッチング後の無損傷アッシングプロセス及びシステム
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願2008-524962   Applicant：東京エレクトロン株式会社

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• プラズマ・核融合学会誌, 2009, Vol.85, No.4, p.193-198