窒化炭素組成物、当該窒化炭素組成物を有する薄膜トランジスタ並びに当該薄膜トランジスタを有する表示装置、及びそれらの作製方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004048985
Publication number (International publication number)：2004277882
Application date： Feb. 25, 2004
Publication date： Oct. 07, 2004
Summary：

【課題】従来の窒化炭素組成物は、成膜方法や特性に制約があった。例えば保護膜として利用する場合、被成膜基体(物品)の材質と、窒化炭素組成物の形成温度とは相反する条件を満たす必要があった。また半導体装置における絶縁膜として利用する場合、膜中の水素濃度が低いため応力緩和性が低く、段差被覆性が低かった。【解決手段】そこで本発明の窒化炭素組成物は、水素を30〜45atomic%含ませることが可能である成膜温度、例えば100°C以下、好ましくは50°C以下、更に好ましくは20〜30°Cで形成しながら、且つ安定性、応力緩和性を維持することを特徴とする。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

水素を30〜45atomic%有することを特徴とする窒化炭素組成物。

IPC (6)：

C23C16/36 , B65D23/02 , C01B21/087 , H01L21/312 , H01L21/336 , H01L29/786

FI (5)：

C23C16/36 , B65D23/02 Z , C01B21/087 , H01L21/312 A , H01L29/78 617S

F-Term (101)：

3E062AA09 , 3E062AC02 , 3E062JA01 , 3E062JA07 , 3E062JB24 , 3E062JC01 , 3E062JD01 , 4K030AA09 , 4K030AA13 , 4K030AA17 , 4K030AA18 , 4K030BA24 , 4K030BA27 , 4K030BA38 , 4K030BB05 , 4K030CA04 , 4K030CA07 , 4K030CA12 , 4K030CA14 , 4K030FA01 , 4K030FA02 , 4K030JA06 , 4K030JA10 , 4K030LA02 , 5F058AA02 , 5F058AC10 , 5F058AF02 , 5F058AF10 , 5F110AA17 , 5F110AA26 , 5F110BB02 , 5F110BB04 , 5F110CC02 , 5F110CC04 , 5F110CC08 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD12 , 5F110DD13 , 5F110DD14 , 5F110DD15 , 5F110DD17 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE06 , 5F110EE09 , 5F110EE15 , 5F110EE23 , 5F110FF01 , 5F110FF04 , 5F110FF07 , 5F110FF28 , 5F110FF30 , 5F110FF35 , 5F110GG02 , 5F110GG13 , 5F110GG15 , 5F110GG25 , 5F110GG32 , 5F110GG43 , 5F110GG45 , 5F110GG47 , 5F110HJ01 , 5F110HJ04 , 5F110HJ12 , 5F110HJ13 , 5F110HJ23 , 5F110HL03 , 5F110HL04 , 5F110HL06 , 5F110HL12 , 5F110HM13 , 5F110HM15 , 5F110NN03 , 5F110NN04 , 5F110NN22 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN27 , 5F110NN35 , 5F110NN71 , 5F110NN72 , 5F110NN73 , 5F110PP01 , 5F110PP02 , 5F110PP03 , 5F110PP04 , 5F110PP05 , 5F110PP06 , 5F110PP13 , 5F110PP26 , 5F110PP29 , 5F110PP34 , 5F110QQ04 , 5F110QQ09 , 5F110QQ11 , 5F110QQ24 , 5F110QQ25 , 5F110QQ28

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

窒化炭素及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-090592 Applicant：株式会社東京電子冶金研究所
窒化炭素冷陰極
Gazette classification：公表公報 Application number：特願平8-534081 Applicant：ウェインステイトユニヴァーシティ
アモルファス窒化炭素組成物及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-041580 Applicant：松下電工株式会社

Cited by examiner (5)

半導体装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-393824 Applicant：松下電器産業株式会社
半導体装置およびその作製方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-085444 Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
窒化炭素の製造方法及びその方法により得られる窒化炭素
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-169516 Applicant：大阪瓦斯株式会社

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