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J-GLOBAL ID：201502207606601712   整理番号：15A0977396

MBEカーボンの固体源を用いたPt(111)及びAu(111)上のグラフェン成長

Graphene growth on Pt(111) and Au(111) using a MBE carbon solid-source

著者 (6件)： HERNANDEZ-RODRIGUEZ Irene (Instituto de Ciencia de Materiales de Madrid, ICMM-CSIC, 28049 Madrid, ESP) ,  GARCIA Jorge M. (Instituto de Microelectronica de Madrid, IMM-CNM, CSIC, 28760 Madrid, ESP) ,  GARCIA Jorge M. (Campus de Excelencia Internacional, UAM+CSIC, Madrid, ESP) ,  MARTIN-GAGO Jose A. (Instituto de Ciencia de Materiales de Madrid, ICMM-CSIC, 28049 Madrid, ESP) ,  DE Andres Pedro L. (Instituto de Ciencia de Materiales de Madrid, ICMM-CSIC, 28049 Madrid, ESP) ,  MENDEZ Javier (Instituto de Ciencia de Materiales de Madrid, ICMM-CSIC, 28049 Madrid, ESP)
資料名： Diamond and Related Materials  (Diamond and Related Materials)
巻： 57  ページ： 58-62  発行年： 2015年08月 
JST資料番号： W0498A  ISSN： 0925-9635  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： この研究において著者らは,超高真空でのカーボンの固体源からカーボン原子を蒸発させ,貴金属上にグラフェンを得るという分子ビームエピタクシー(MBE)成長法を説明する。著者らは異なる金属表面上の合成グラフェン(G)を得る。それは,良く研究されている白金基板から,先進的な方法でしか形成することができない金までである。グラフェン層の特性評価のために,著者らは低エネルギー電子回折(LEED),オージェ電子分光(AES),走査型トンネル顕微鏡(STM)のような,その場の表面科学技術を用いた。著者らの方法での主な有利な点は,グラフェンを形成するのに表面には低温が必要であるということである。したがって,カーボンを蒸発している間,Pt(111)及びAu(111)基板をそれぞれ650°Cと550°Cにそれぞれアニールすることで,著者らは表面に一般的にグラフェンに現れる,特徴的なLEEDの図を得た。STMの結果によって,グラフェンの形成を証明した。Pt(111)上のGの場合,STMのイメージは,白金の(111)面の単分子層グラフェンに一致するモアレ模様に関連付けられる長距離規則性を示す。それに対して,G/Au(111)のSTMの結果は,原子ステップ端にピン止めされた樹枝状アイランドを形成していることを明らかにした。この方法は,ポテンシャルのある技術的な応用として,多くの異なる基板におけるグラフェン形成の新たな可能性を切り開く。Copyright 2015 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： 基板 ,  白金 ,  金 ,  ガラス状炭素 ,  *貴金属 ,  *超高真空 ,  *真空蒸着 ,  *グラフェン ,  *MBE成長 ,  キャラクタリゼーション ,  低速電子回折 ,  Auger分光法 ,  走査型トンネル顕微鏡 ,  *単分子層 ,  長範囲規則度 ,  樹枝状結晶 ,  *島状構造 ,  樹枝状構造
準シソーラス用語： Auger電子分光 ,  アイランド ,  長距離規則性 ,  低エネルギー電子回折 ,  分子ビームエピタクシー成長

分類 (2件)： 炭素とその化合物  (YB02060D) ,  その他の無機化合物の結晶成長  (BK13060T)

タイトルに関連する用語 (7件)： MBE ,  カーボン ,  固体 ,  Pt ,  Au ,  グラフェン ,  成長