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J-GLOBAL ID：201602227627284553   整理番号：16A0654967

単極性抵抗スイッチングメモリにおけるリセット遷移のための解析的エネルギーモデル【Powered by NICT】

An analytical energy model for the reset transition in unipolar resistive-switching RAMs

著者 (6件)： Chawa M. M. Al (Electronic Eng. Group, Physics Department, Universitat de les Illes Balears, Spain) ,  Picos R. (Electronic Eng. Group, Physics Department, Universitat de les Illes Balears, Spain) ,  Garcia-Moreno E. (Electronic Eng. Group, Physics Department, Universitat de les Illes Balears, Spain) ,  Stavrinides S.G. (Computer Science Dept., University of Thessaly, Greece) ,  Roldan J.B. (Dep. de Electronica y Tec. de los Computadores, Universidad de Granada, Spain) ,  Jimenez-Molinos F. (Dep. de Electronica y Tec. de los Computadores, Universidad de Granada, Spain)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： MELECON  ページ： 1-4  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,単極抵抗変化型不揮発性メモリデバイスのリセット遷移中の全エネルギー散逸のための解析モデルを開発し試験した。そうするために,著者らはメモリスタとしてReRAMを検討したが,電荷束空間におけるメモリスタモデルを使用した,通常の電流-電圧変数の代わりに。使用したモデルは非常に簡単で,わずか三パラメータであり,正確な結果を与える。はまたパワーとエネルギー消費のための簡単な表現を開発可能にする。ランプ入力信号の場合を考察し,3つのパラメータモデルの予測を実験結果と比較,1%以下の平均誤差を伴っていた。パルス入力を用いたリセット遷移を受けたReRAMの1例のためのコンパクトな表式を提示した。Copyright 2016 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： エネルギー消費 ,  エネルギー散逸 ,  パルス ,  電荷 ,  解析モデル ,  *不揮発性メモリ ,  電圧 ,  パラメトリックモデル ,  *抵抗スイッチングメモリ ,  *単極性 ,  抵抗変化メモリ
準シソーラス用語： 入力信号 ,  ReRAM ,  メモリスタ ,  抵抗変化 ,  *エネルギーモデル , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： パターン認識  (JE07000S)

タイトルに関連する用語 (6件)： 単極性 ,  抵抗スイッチングメモリ ,  リセット ,  遷移 ,  解析 ,  エネルギーモデル